ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF6626TR1PBF
/IRF6626TR1PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRF6626TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
IRF6626TR1PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6626TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6626TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6626TR1PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 16A（Ta），72A（Tc） 2.2W（Ta），42W（Tc） DIRECTFET™ ST。您可以下载IRF6626TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6626TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF6626TR1PBF是一款高性能的N沟道MOSFET，属于晶体管中的FET类别。该器件广泛应用于需要高效、高可靠性和高频率开关性能的电力电子系统中。 该MOSFET常用于电源管理领域，如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路以及负载开关等。其低导通电阻（Rds(on)）和高电流承载能力使其在电源转换效率要求较高的场景中表现优异。 此外，IRF6626TR1PBF也适用于电机控制、电池管理系统（BMS）、电动工具和无人机等需要快速开关和高稳定性的应用场合。由于其封装为小型化的TSOP，适合高密度PCB布局，因此在消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子中也有广泛应用。 在汽车电子方面，该器件可用于车载充电系统、LED照明驱动、车身控制模块等场景，满足对安全性和可靠性的高要求。 总之，IRF6626TR1PBF凭借其优异的电气性能和紧凑封装，适用于多种高效能、高频率的功率开关应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF6626TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2380pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.4 毫欧 @ 16A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
| 其它名称 | IRF6626TR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 ST |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta）， 72A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6626.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6626.spi |
.jpg)
