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- 型号： STFI10N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STFI10N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI10N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTFI10N62K3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STFI10N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STFI10N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STFI10N62K3是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单的类别。该器件具有620V的漏源击穿电压和10A的连续漏极电流能力，采用TO-220FP或类似封装，具备良好的热稳定性和高可靠性。 STFI10N62K3主要适用于高电压、中等功率的开关应用场合。典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC转换器中，如适配器、充电器、PC电源和工业电源模块，作为主开关管工作在高频条件下，实现高效能量转换。 2. 照明系统：应用于电子镇流器、LED驱动电源和高强度放电灯（HID）控制电路中，支持高启动电压和稳定运行需求。 3. 电机驱动：适用于小功率工业电机、家用电器（如风扇、洗衣机）中的马达控制电路，提供快速开关和低导通损耗。 4. 逆变器与UPS：用于不间断电源（UPS）、太阳能微逆变器等设备中，承担直流到交流的转换功能，具备良好的耐压能力和动态响应。 5. 消费类与工业设备：如电视、显示器电源板、工业控制电源模块等，因其高耐用性和抗雪崩能力，在恶劣电气环境中表现稳定。 STFI10N62K3结合了先进的“SuperMESH3”技术，具备低栅极电荷、低导通电阻和优秀的开关特性，有助于提升系统效率并简化散热设计，是中高功率电源应用中的可靠选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 620V 8.4A I2PAKFP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STFI10N62K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH3™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 4A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP （281） |
| 其它名称 | 497-13389-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253965?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3 整包， I²Pak |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.4A （Tc） |
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