Datasheet下载- 型号： STFI6N65K3
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STFI6N65K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI6N65K3价格参考。STMicroelectronicsSTFI6N65K3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STFI6N65K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STFI6N65K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics 的 STFI6N65K3 是一款高压、高性能的 N 沟道 MOSFET，采用先进的超结（Super Junction）技术，具有 650V 耐压和较高的开关效率。该器件主要应用于需要高能效和紧凑设计的电源系统中。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于工业电源、通信电源和服务器电源等，因其低导通电阻和快速开关特性，有助于提升转换效率并减少热损耗。 2. LED 照明驱动电源：适用于大功率 LED 驱动电路，支持高效率反激或LLC拓扑结构，满足节能和长寿命要求。 3. 消费类电子适配器：如笔记本电脑、家电等设备的AC-DC适配器，实现小型化与高能效兼顾的设计。 4. 光伏逆变器：在太阳能微逆变器中作为关键开关元件，提高能量转换效率。 5. 电机驱动与工业控制：用于中小功率电机控制电路中的功率切换环节，具备良好的热稳定性和可靠性。 STFI6N65K3 采用 TO-220FP 或类似封装，便于散热和安装，适合对空间和散热有要求的应用环境。其高雪崩耐量和坚固的栅极设计也增强了系统在异常工况下的鲁棒性。总体而言，该MOSFET适用于追求高效率、高可靠性和高功率密度的现代电力电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N CH 650 5.4A I2PAKFP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STFI6N65K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH3™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 880pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 33nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.3 欧姆 @ 2.7A， 10V |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP （281） |
| 其它名称 | 497-13599-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253797?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3 整包， I²Pak |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A （Tc） |
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