Datasheet下载- 型号： SI2315BDS-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2315BDS-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2315BDS-T1-GE3价格参考。VishaySI2315BDS-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2315BDS-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2315BDS-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2315BDS-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式电子设备中的电源开关和负载管理，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 电池供电系统：在电池管理系统（BMS）中用于控制充放电路径，保护电池免受过流或反向电流影响。 3. DC-DC 转换器：用于同步整流或开关元件，提高转换效率，尤其适合低电压输入（如 3.3V 或 5V）的电源转换应用。 4. 负载开关：在需要控制高电流负载的场合，如电机驱动、LED 照明或传感器模块中，作为高效的电子开关使用。 5. 工业控制与自动化设备：用于 PLC、工业传感器和执行器的电源控制，具备良好的热稳定性和可靠性。 该器件采用小型 TSOP 封装，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于消费类电子、通信设备及汽车电子等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3MOSFET 12V 3.85A 1.19W 50mohm @ 4.5V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72014 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI2315BDS-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI2315BDS-T1-GE3SI2315BDS-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 750 mW |
| Pd-功率耗散 | 750 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 35 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 715pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 3.85A，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 典型关闭延迟时间 | 50 ns |
| 功率-最大值 | 750mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI2315BDS-GE3 |
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