【未分类_IPD50R650CEBTMA1】封装/厂家_IPD50R650CEBTMA1中文资料_价格

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型号： IPD50R650CEBTMA1
制造商： Infineon
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50R650CEBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50R650CEBTMA1价格参考。InfineonIPD50R650CEBTMA1封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IPD50R650CEBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD50R650CEBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IPD50R650CEBTMA1是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单类型的产品。该型号的应用场景主要包括以下几个方面：

1. 工业电源管理：这款MOSFET适用于各种工业电源应用，例如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和逆变器。其650V的额定电压使其能够承受较高的电压波动，适合用于需要高稳定性和效率的工业设备中。

2. 电机驱动：在电机控制领域，IPD50R650CEBTMA1可以用于驱动中小型电机，特别是在家用电器、工业自动化设备和电动工具中。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高整体效率。

3. 太阳能逆变器：由于其高电压耐受能力和良好的热性能，该MOSFET可用于太阳能光伏发电系统的逆变器中，帮助实现高效的能量转换和传输。

4. 不间断电源（UPS）：在UPS系统中，这款MOSFET可作为关键的开关元件，确保在主电源中断时快速切换到备用电池供电，同时保持输出电压的稳定性。

5. 电动汽车（EV）与混合动力汽车（HEV）：尽管主要应用于较低功率范围，但该器件也可用于某些辅助系统中，如车载充电器或小型电机控制器，支持新能源汽车的多样化需求。

6. 照明系统：在LED照明和其他高效照明解决方案中，这款MOSFET可用于驱动电路，提供精确的电流控制和调光功能，从而实现节能效果。

总之，IPD50R650CEBTMA1凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛适用于需要高性能功率转换和控制的各种应用场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
Id-ContinuousDrainCurrent	6.1 A
Id-连续漏极电流	6.1 A
品牌	Infineon Technologies
产品目录	半导体
描述	MOSFET COOL MOS
产品分类	分离式半导体
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS
产品系列	晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1
产品型号	IPD50R650CEBTMA1
Pd-PowerDissipation	47 W
Pd-功率耗散	47 W
Qg-GateCharge	15 nC
Qg-栅极电荷	15 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	650 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	650 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	550 V
Vds-漏源极击穿电压	550 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage	3 V
Vgsth-栅源极阈值电压	3 V
上升时间	5 ns
下降时间	13 ns
产品种类	MOSFET
典型关闭延迟时间	27 ns
商标	Infineon Technologies
商标名	CoolMOS
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	650 mOhms
封装	Reel
封装/箱体	DPAK-2
工厂包装数量	2500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
汲极/源极击穿电压	550 V
漏极连续电流	6.1 A
系列	IPD50R650
配置	Single
零件号别名	SP000992078