Datasheet下载- 型号： IPD50R650CEBTMA1
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPD50R650CEBTMA1由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPD50R650CEBTMA1价格参考。InfineonIPD50R650CEBTMA1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPD50R650CEBTMA1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPD50R650CEBTMA1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.1 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET COOL MOS |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPD50R650CEBTMA1 |
| 产品型号 | IPD50R650CEBTMA1 |
| Pd-PowerDissipation | 47 W |
| Pd-功率耗散 | 47 W |
| Qg-GateCharge | 15 nC |
| Qg-栅极电荷 | 15 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 650 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 650 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 550 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 550 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 5 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 27 ns |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 650 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 汲极/源极击穿电压 | 550 V |
| 漏极连续电流 | 6.1 A |
| 系列 | IPD50R650 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SP000992078 |
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