Datasheet下载- 型号： MMDF3N02HDR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDF3N02HDR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDF3N02HDR2G价格参考。ON SemiconductorMMDF3N02HDR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDF3N02HDR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDF3N02HDR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
安森美半导体（ON Semiconductor）的MMDF3N02HDR2G是一款N沟道增强型MOSFET，广泛应用于需要高效、低功耗开关的场景。该器件具有低导通电阻、高频率响应和良好热性能，适用于以下主要场景： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，提高能效并减小电路体积。 2. 电机驱动：适用于小型电机、风扇或泵的控制电路，实现快速开关与节能运行。 3. LED照明：作为恒流源开关，用于LED调光或开关控制，提升灯具效率与寿命。 4. 消费类电子产品：如充电器、适配器或智能家居设备中的功率开关元件。 5. 工业自动化：用于PLC、传感器模块或继电器替代电路，增强系统可靠性和响应速度。 该器件采用小型封装，适合空间受限的设计，同时支持高频率工作，适用于开关电源及高频控制电路。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR P-CH 20V 3.8A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | MMDF3N02HDR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | MMDF3N02HDR2GOSCT |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.8A （Ta） |
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