Datasheet下载- 型号： IRFIBF20GPBF
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFIBF20GPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFIBF20GPBF价格参考。VishayIRFIBF20GPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFIBF20GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFIBF20GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFIBF20GPBF 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，常用于高效率、高频率的开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于 DC-DC 转换器、AC-DC 电源适配器、开关电源（SMPS）中，适用于高频率开关操作，提高能量转换效率。 2. 电机控制：用于电动工具、家用电器及工业设备中的电机驱动电路，实现对电机速度和方向的高效控制。 3. 负载开关：作为高边或低边开关用于控制电源分配，如电池管理系统、服务器电源控制等。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和太阳能逆变器中作为核心开关元件，实现直流电到交流电的高效转换。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、电机控制和照明系统，满足汽车应用中对可靠性和效率的高要求。 该器件具有低导通电阻、高耐压（200V）和良好热性能，适合在高效率、高密度电源设计中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FPMOSFET N-Chan 900V 1.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.2 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFIBF20GPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFIBF20GPBFIRFIBF20GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 21 ns |
| 下降时间 | 32 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 490pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8 欧姆 @ 720mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFIBF20GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 56 ns |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.2A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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