Datasheet下载- 型号： STB25NM60N-1
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STB25NM60N-1由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STB25NM60N-1价格参考。STMicroelectronicsSTB25NM60N-1封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STB25NM60N-1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STB25NM60N-1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STB25NM60N-1是一款N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源模块，用于高效能电能转换。 2. 电机控制：在无刷直流电机（BLDC）驱动器、电动工具、工业自动化设备中作为功率开关，实现对电机速度与扭矩的精确控制。 3. 照明系统：用于LED照明驱动电路，特别是在高亮度LED应用中，提供稳定电流控制。 4. 消费电子产品：如电视、音响设备、充电器等产品中的电源部分，具备高效率和低损耗特性，有助于提升产品能效等级。 5. 工业控制系统：在变频器、伺服驱动器和工业电源中作为核心功率器件，支持高频率开关操作，减小系统体积并提升响应速度。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压（600V）、可承受较大工作电流（25A）等优点，适合高频、高效开关应用，且具备良好的热稳定性和耐用性，适用于多种中高功率应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 21A I2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STB25NM60N-1 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2400pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 84nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 10.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAK |
| 其它名称 | 497-5730 |
| 功率-最大值 | 160W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21A （Tc） |
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