Datasheet下载- 型号： STP8NM60N
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP8NM60N由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP8NM60N价格参考。STMicroelectronicsSTP8NM60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP8NM60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP8NM60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STP8NM60N 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款 N 沟道 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。这款器件具有以下主要参数和特性：耐压 600V，连续漏极电流可达 8A，导通电阻低至 1.4Ω（典型值），并且采用了 TO-220AC 封装形式。基于这些特点，STP8NM60N 的应用场景主要包括以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS） STP8NM60N 的高耐压和较低的导通电阻使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它可以在高频条件下高效工作，适用于 AC-DC 或 DC-DC 转换器，例如适配器、充电器以及工业用电源模块。 2. 电机驱动 在中小功率电机驱动应用中，该 MOSFET 可作为功率级的一部分，用于控制电机的启动、停止及速度调节。其高压能力允许在更高电压环境下运行，适合家用电器（如风扇、水泵）或小型工业设备中的电机控制。 3. 逆变器与太阳能系统 对于小型离网式太阳能逆变器或其他需要高压切换的应用场景，STP8NM60N 能够胜任。它可以用来构建 H 桥电路以实现交流信号输出，或者参与电池充放电管理。 4. 负载切换与保护 在汽车电子、照明系统或消费电子产品中，STP8NM60N 常被用作负载开关。通过快速开启/关闭负载路径，可以有效防止过流、短路等问题，同时减少能量损耗。 5. 脉宽调制（PWM）控制器 利用其优异的开关性能，该器件可广泛应用于 PWM 控制电路中，比如 LED 驱动器、音频放大器等领域。通过精确调节占空比来控制输出功率或亮度。 综上所述，STP8NM60N 凭借其高耐压、适中的电流承载能力和良好的热性能，在众多电力电子应用中表现出色，尤其是在需要高压处理且对效率有一定要求的情况下。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 7A TO-220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP8NM60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 560pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 650 毫欧 @ 3.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-7533-5 |
| 功率-最大值 | 70W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7A （Tc） |
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