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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9388TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9388TRPBF价格参考¥1.52-¥1.52。International RectifierIRF9388TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF9388TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF9388TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies生产的IRF9388TRPBF是一款P沟道功率MOSFET,属于晶体管中的FET(场效应晶体管)类别。该器件广泛应用于需要高效电源管理和开关控制的电子系统中。 典型应用场景包括: 1. 电源管理电路:常用于DC-DC转换器、电压调节模块(VRM)和同步整流电路中,因其低导通电阻(Rds(on))可降低功耗,提高能效。 2. 负载开关:适用于电池供电设备中的电源开关控制,如笔记本电脑、移动设备和平板电脑,实现对负载的快速通断,防止反向电流和浪涌电流。 3. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机的H桥驱动电路中作为高端或低端开关使用,提供可靠的开关性能。 4. 逆变器与电源逆变系统:用于UPS(不间断电源)、逆变器和电源转换装置中,实现高效的电能转换。 5. 热插拔电路:在服务器、通信设备等需要带电插拔的场合,用于控制电源通断,保护后级电路。 IRF9388TRPBF采用先进的工艺制造,具有良好的热稳定性和高可靠性,符合RoHS标准,无铅环保。其封装形式便于自动化生产,适合高密度PCB布局。由于其优异的开关特性和耐压能力,该MOSFET在工业控制、消费电子、通信电源和汽车电子等领域均有广泛应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1.68 nF |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 12A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -30V -12A 11.9mOhm 25Vgs |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 12 A |
| Id-连续漏极电流 | - 12 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF9388TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF9388TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 11.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 10 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1.8 V |
| 上升时间 | 57 ns |
| 下降时间 | 66 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1680pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.5 毫欧 @ 12A,20V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF9388TRPBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 80 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 12A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |