Datasheet下载- 型号： PSMN4R2-60PLQ
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R2-60PLQ由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R2-60PLQ价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R2-60PLQ封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN4R2-60PLQ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R2-60PLQ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R2-60PLQ 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沱道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别的产品。其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于开关模式电源（SMPS）中的功率转换，提供高效的电压调节。 - 负载开关：在电路中实现快速、低损耗的通断控制，适用于需要动态电源管理的设备。 - 电池管理系统（BMS）：用于保护电池免受过流、短路等异常情况的影响。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：通过高频开关控制电机的速度和方向。 - H 桥电路：用于双向电机驱动，常见于家用电器、玩具和小型工业设备。 3. 消费电子 - 笔记本电脑与平板电脑：作为电源管理模块的一部分，用于优化能耗。 - 智能手机和平板充电器：提供高效的功率传输，支持快速充电技术。 - 音频设备：用作功率放大器中的开关元件，提升音质表现。 4. 工业应用 - 可编程逻辑控制器（PLC）：用于工业自动化系统中的信号切换和功率控制。 - 传感器接口：为传感器供电或处理信号输出，确保高精度和低噪声。 5. 汽车电子 - 车身控制模块（BCM）：用于车窗升降、雨刷控制等低功率应用。 - LED 照明驱动：为车内和外部 LED 灯提供稳定的电流和电压。 - 辅助驾驶系统：支持雷达传感器、摄像头等设备的电源管理。 6. 通信设备 - 基站电源：在通信基础设施中提供高效功率分配。 - 路由器和交换机：用于内部电源管理和信号切换。 特性优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功率损耗，提高效率。 - 高电流承载能力：适合多种负载需求。 - 快速开关速度：减少开关损耗，适应高频应用。 - 小封装尺寸：节省 PCB 空间，便于紧凑设计。 综上所述，PSMN4R2-60PLQ 广泛应用于需要高效功率转换和低损耗开关的场景，特别适合消费电子、工业控制、汽车电子和通信设备等领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 60V 130A TO-220MOSFET N-Channel MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 130 A |
| Id-连续漏极电流 | 130 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS不受无铅要求限制 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R2-60PLQ- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R2-60PLQ |
| Pd-PowerDissipation | 263 W |
| Pd-功率耗散 | 263 W |
| Qg-GateCharge | 151 nC |
| Qg-栅极电荷 | 151 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.45 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.45 V |
| 上升时间 | 97 ns |
| 下降时间 | 72 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8533pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 151nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.9 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-10167-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 84 ns |
| 功率-最大值 | 263W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 8.6 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 130 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 130A （Tmb） |
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