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  • 型号: PMP4501V,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PMP4501V,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMP4501V,115价格参考。NXP SemiconductorsPMP4501V,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMP4501V,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMP4501V,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PMP4501V,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款双极性晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-666 封装,内含两个独立的 NPN 晶体管(共发射极配置),具有匹配特性、低饱和压降(VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 10 mA)和高直流电流增益(hFE 典型值 250–600),适用于空间受限、需双路协同驱动的中低功率场景。

典型应用场景包括:  
1. 数字逻辑电平转换与缓冲:在 MCU(如 ARM Cortex-M 系列)与 5 V 外设(如继电器、LED 阵列、老式传感器)之间实现双向电平适配与电流放大;  
2. 小型电机/电磁阀驱动:驱动微型直流电机(<100 mA)、蜂鸣器或低功耗电磁阀,两路可分别控制正反转或使能/复位信号;  
3. LED 显示驱动:用于 7 段数码管或点阵 LED 的位选/段选动态扫描驱动,利用其快速开关特性和匹配参数保障显示一致性;  
4. 电源管理辅助电路:在 DC-DC 模块中用作使能控制、故障检测信号调理或负载开关的驱动级;  
5. 工业 I/O 模块:作为 PLC 输入信号隔离后的信号整形/放大,或输出端的推挽式驱动单元。

该器件不适用于高频射频或大功率开关(如 >200 mA 连续电流或 >100 kHz PWM),但凭借小尺寸、高可靠性及 AEC-Q200 可选版本,在消费电子、白色家电、楼宇自动化及汽车电子(非安全关键子系统)中广泛应用。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL NPN 45V 100MA SOT666两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR TRANS TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP4501V,115-

数据手册

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产品型号

PMP4501V,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

400mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

200 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-666

其它名称

568-6536-6

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-563,SOT-666

封装/箱体

SOT-666

工厂包装数量

4000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)配对

最大功率耗散

200 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

200 mA

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

450

直流集电极/BaseGainhfeMin

200

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

45 V

集电极—基极电压VCBO

50 V

集电极连续电流

100 mA

零件号别名

PMP4501V T/R

频率-跃迁

250MHz

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