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  • 型号: BC857BDW1T1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC857BDW1T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC857BDW1T1G价格参考。ON SemiconductorBC857BDW1T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BC857BDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC857BDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

ON Semiconductor(安森美半导体)的BC857BDW1T1G是一款双极性晶体管(BJT)阵列,其主要应用场景包括以下几类:

 1. 信号放大
   - BC857BDW1T1G可用于音频、射频和其他低功率信号的放大。由于其具有低噪声特性和良好的增益性能,适合用于便携式设备中的音频前置放大器或传感器信号放大。

 2. 开关电路
   - 该器件可作为电子开关使用,适用于各种数字逻辑电路中。例如,在继电器驱动、LED驱动或小型电机控制等场景中,可以利用其高电流增益特性来实现高效的开关功能。

 3. 电源管理
   - 在低功耗系统中,这款晶体管可以用作稳压器的一部分,帮助调节输出电压或电流。它也适合用在电池供电设备中进行简单的电源管理任务。

 4. 保护电路
   - BC857BDW1T1G能够用于过流保护和短路保护电路设计中。通过设置适当的偏置条件,它可以检测异常电流并切断电路以防止损坏其他组件。

 5. 消费电子产品
   - 这种类型的晶体管广泛应用于家用电器、玩具、遥控器等消费类电子产品中,提供基本的功能如指示灯控制、按键扫描等。

 6. 工业控制
   - 在一些需要精确控制的小型工业应用中,比如温度监控系统、液位传感器接口等,该晶体管也能发挥作用。

 总结
BC857BDW1T1G凭借其紧凑的封装形式和稳定的电气参数,非常适合于对成本敏感且要求可靠性的中小型应用场合。无论是家用还是轻工业领域,只要有涉及到小信号处理或者简单功率转换的地方,都可以考虑使用这款产品。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL PNP 45V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual PNP

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC857BDW1T1G-

数据手册

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产品型号

BC857BDW1T1G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

650mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

220 @ 2mA,5V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SC-88/SC70-6/SOT-363

其它名称

BC857BDW1T1GOSDKR

功率-最大值

380mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SC-70-6

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)

最大功率耗散

380 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

电压-集射极击穿(最大值)

45V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流集电极/BaseGainhfeMin

220

系列

BC857BDW1

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

- 45 V

集电极—基极电压VCBO

- 50 V

集电极—射极饱和电压

- 0.65 V

集电极连续电流

- 0.1 A

频率-跃迁

100MHz

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