Datasheet下载- 型号： ZXTC2062E6TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXTC2062E6TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXTC2062E6TA价格参考。Diodes Inc.ZXTC2062E6TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXTC2062E6TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXTC2062E6TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes 公司的 ZXTC2062E6TA 是一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，常用于需要高开关速度和良好热稳定性的应用场合。该器件内部集成了两个独立的 NPN 型晶体管，适用于功率放大、电源管理、电机控制、LED 驱动及工业自动化等场景。 在具体应用中，ZXTC2062E6TA 可用于 DC-DC 转换器中的开关元件，提高电源转换效率；也可作为继电器或负载的驱动器，在汽车电子系统（如车灯控制、电动窗控制）中发挥重要作用。此外，其良好的温度特性和可靠性也使其适合用于消费类电子产品和通信设备中，例如音频放大器或接口电路。 该器件采用小型封装（如 SOT-223 或类似），便于 PCB 布局并节省空间，适用于对尺寸有要求的设计。由于其具备较高的电流承载能力和快速响应特性，因此在需要高效能与紧凑设计并存的应用中尤为受欢迎。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 20V SOT23-6两极晶体管 - BJT 20V 1A Complementary Med power transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated ZXTC2062E6TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXTC2062E6TA |
| PCN其它 | |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 190mV @ 200mA，4A / 250mV @ 175mA，3.5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 280 @ 1A，2V / 170 @ 1A，2V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-23-6 |
| 其它名称 | ZXTC2062E6CT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 215 MHz, 290 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-23-6 |
| 封装/箱体 | SOT-23 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1700 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 4 A at NPN, 3.5 A at PNP |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 20V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 4A，3.5A |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 at 10 mA at 2 V at NPN, 280 at 1 A at 2 V at NPN, 140 at 4 A at 2 V at NPN, 300 at 10 mA at 2 V at PNP, 170 at 1 A at 2 V at PNP, 65 at 3.5 A at 2 V at PNP |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 25 V, 100 V |
| 频率-跃迁 | 215MHz，290MHz |
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