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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PBSS4160PANP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160PANP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160PANP,115价格参考￥0.64-￥0.66。NXP SemiconductorsPBSS4160PANP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4160PANP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4160PANP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4160PANP,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款 PNP 型双极结型晶体管（BJT），具有高增益（hFE 典型值达 300）、低饱和电压（VCE(sat) ≤ 175 mV @ IC = 500 mA）、高集电极电流能力（IC = 600 mA）及优良的开关特性，采用小型 SOT1215 封装（0.8 mm 超薄，兼容自动贴装）。 其典型应用场景包括： - 中小功率开关电路：如电源管理中的负载开关、LED 驱动控制、继电器/蜂鸣器驱动等； - 电池供电设备的电源通断控制：凭借低饱和压降与高电流能力，适用于便携式设备（如无线耳机、智能手环、IoT 传感器节点）中的电池反向保护或电源路径管理； - 信号电平转换与接口逻辑驱动：在 MCU GPIO 驱动能力不足时，用作电平移位或电流放大级（如驱动 LCD 背光、小功率电机或光电耦合器输入端）； - 汽车电子辅助模块：满足 AEC-Q101 认证（该型号为车规级器件），可用于车身控制单元（BCM）中非安全关键的灯光控制、风扇调速、座椅调节等低压直流负载驱动。 该器件不适用于高频射频放大或大功率线性稳压场景，但以其高可靠性、小尺寸和强鲁棒性，在空间受限、需高效开关与低功耗的嵌入式系统中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160PANP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4160PANP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 120mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10200-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz, 125 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 430, 245 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 290, 245 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 90 mV, - 125 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 175MHz |
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