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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PBSS4160PANP,115
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4160PANP,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4160PANP,115价格参考￥0.64-￥0.66。NXP SemiconductorsPBSS4160PANP,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PBSS4160PANP,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4160PANP,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的型号为 PBSS4160PANP,115 的双极晶体管阵列（BJT 阵列）是一种高性能、高可靠性的半导体器件，广泛应用于需要多通道信号控制和放大的场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 该 BJT 阵列可用于开关电源中的驱动电路或辅助电路中，实现高效的功率转换和电压调节。 - 在电池管理系统（BMS）中，可用于电流检测、充电控制和保护功能。 2. 信号放大与处理 - 适用于音频设备中的信号放大，如耳机放大器或小型音响系统。 - 在工业自动化领域，用于信号调理和传感器信号放大。 3. 电机驱动与控制 - 可用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，提供必要的电流放大和方向控制。 - 在机器人技术中，用于精确控制电机的速度和位置。 4. 通信设备 - 在低频通信电路中，作为信号放大或调制解调的核心元件。 - 适用于无线模块中的功率放大器（PA）前置驱动电路。 5. 消费电子 - 在家用电器（如风扇、水泵等）中，用于速度控制和节能管理。 - 在智能家居设备中，用于信号传输和控制逻辑。 6. 汽车电子 - 用于车载电子设备中的灯光控制、雨刷器驱动和座椅加热等功能。 - 在电动车中，可用于电池管理和电控单元（ECU）的辅助电路。 7. 测试与测量 - 在示波器、信号发生器等测试设备中，用于信号生成和放大。 - 用于精密测量仪器中的电流源或电压源设计。 PBSS4160PANP,115 的紧凑封装形式和优异的电气性能使其非常适合需要高密度集成和高效能的应用场合。同时，其稳定的温度特性和抗干扰能力也使其在恶劣环境中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 60V 1A 6HUSON两极晶体管 - BJT 60V 1A NPN/PNP lo VCEsat transistor |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4160PANP,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4160PANP,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 120mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 500mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-HUSON（2X2） |
| 其它名称 | 568-10200-1 |
| 功率-最大值 | 510mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 175 MHz, 125 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-UDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | DFN2020-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 1450 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 1.5 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 60V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 1A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 430, 245 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 290, 245 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 60 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 90 mV, - 125 mV |
| 集电极连续电流 | 1 A |
| 频率-跃迁 | 175MHz |
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