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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT2222V-7由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT2222V-7价格参考。Diodes Inc.MMDT2222V-7封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDT2222V-7参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDT2222V-7 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT2222V-7 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列产品,其应用场景广泛,适用于多种电子设备和电路设计。以下是该型号的一些典型应用场景:
1. 信号放大
- MMDT2222V-7 内含多个 BJT 晶体管(如 2N2222 和 PNP 对应型号),适合用于音频、射频和其他信号的放大。例如:
- 音频前置放大器:用于提高麦克风或其他低电平信号的强度。
- 射频信号放大:在无线通信系统中,对弱信号进行增强。
2. 开关电路
- 由于其良好的开关特性,该阵列可用于各种数字逻辑电路中的开关应用,例如:
- 继电器驱动:通过晶体管控制继电器的开闭。
- LED 驱动:调节 LED 的亮度或实现多路 LED 控制。
- 电机控制:用于小型直流电机的启停和速度调节。
3. 电源管理
- 在电源管理系统中,MMDT2222V-7 可用于:
- 稳压电路:配合其他元件(如齐纳二极管)实现简单的稳压功能。
- 电池保护:监测电池电压并控制充放电过程。
4. 传感器接口
- 该晶体管阵列可以作为传感器信号的放大或转换元件,例如:
- 温度传感器:放大热敏电阻的输出信号。
- 光电传感器:增强光电二极管的微弱信号。
5. 脉冲生成与调制
- 在需要生成或调制脉冲信号的场景中,MMDT2222V-7 可用于:
- 脉宽调制 (PWM):控制功率输出或调节负载电流。
- 频率调制:用于通信系统的信号调制。
6. 教育与实验
- 由于其经典的设计和广泛的适用性,MMDT2222V-7 常被用于教学和实验中,帮助学生理解 BJT 的工作原理及其在实际电路中的应用。
总结
MMDT2222V-7 的应用场景涵盖了消费电子、工业控制、通信设备、医疗仪器以及教育领域。其高性能和可靠性使其成为许多设计工程师的理想选择。具体应用时,需根据电路需求合理配置外围元件,并确保工作条件符合晶体管的规格参数。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 600MA SOT563两极晶体管 - BJT NPN BIPOLAR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT2222V-7- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT2222V-7 |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | Transistor - Array |
| 供应商器件封装 | SOT-563 |
| 其它名称 | MMDT2222VDICT |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
| 封装/箱体 | SOT-563 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 35 |
| 系列 | MMDT2222V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 75 V |
| 频率-跃迁 | 300MHz |