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Datasheet下载- 型号： PBSS2515VPN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS2515VPN,115产品简介：
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PBSS2515VPN,115 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 NPN 型双极结型晶体管（BJT），采用 SOT1061（DFN2020-6）小型无引线封装，具备低饱和压降（VCE(sat) 典型值仅 0.15 V @ IC=1 A）、高电流增益（hFE = 150–300 @ IC=0.5 A）及快速开关特性（tf < 10 ns）。其主要应用场景包括： 1. 中功率开关应用：广泛用于DC-DC转换器（如Buck/Boost电路）中的同步整流驱动、负载开关及电源管理模块，尤其适合空间受限的便携式设备； 2. LED驱动与背光控制：凭借低导通损耗和稳定增益，适用于智能手机、平板电脑及可穿戴设备的LED恒流驱动与调光电路； 3. 电机控制：在小型直流有刷电机（如风扇、振动马达）的H桥或单路驱动中用作功率开关； 4. 工业与消费类接口电路：作为逻辑电平转换、继电器驱动或微控制器（如ARM Cortex-M系列）的输出级缓冲/放大器件； 5. 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101标准，可用于车身控制模块（BCM）、LED车灯驱动、传感器信号调理等非安全关键场景。 该器件支持±1 kV HBM ESD防护，工作结温范围为−55°C至+150°C，兼具高可靠性与热效率，适用于对尺寸、功耗和响应速度均有较高要求的紧凑型嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 15V 500MA SOT666两极晶体管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS2515VPN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS2515VPN,115 |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 250mV @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 150 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-666 |
| 其它名称 | 568-7262-1 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 420 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 封装/箱体 | SS-Mini |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 200 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 15V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 500mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 10 mA at 2 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 mA at 2 V, 150 at 100 mA at 2 V, 90 at 500 mA at 2 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 15 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 15 V |
| 零件号别名 | PBSS2515VPN T/R |
| 频率-跃迁 | 420MHz，280MHz |
