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UMX5NTR产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UMX5NTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMX5NTR价格参考。ROHM SemiconductorUMX5NTR封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 11V 50mA 3.2GHz 150mW Surface Mount UMT6。您可以下载UMX5NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMX5NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor的UMX5NTR是一款双极型晶体管(BJT)阵列器件,常用于需要多个晶体管集成的小型电路设计中。该器件由多个NPN晶体管组成,具有小型化、集成度高和性能稳定等特点,适用于多种电子应用领域。 UMX5NTR的主要应用场景包括: 1. 数字逻辑电路:作为开关元件,用于构建基本的数字逻辑门电路,如与门、或门等,适合在低频数字系统中使用。 2. 信号放大电路:可用于音频或模拟信号的前置放大器中,尤其在小信号放大场合表现良好。 3. 驱动电路:用于LED、继电器、小型电机等负载的驱动控制,特别是在需要多路独立控制的应用中,其阵列结构可节省PCB空间。 4. 接口电路:在微控制器或数字电路与外部设备之间作为电平转换或缓冲器使用。 5. 消费类电子产品:如智能手机、平板电脑、家用电器等产品中的电源管理、信号处理模块。 6. 工业控制:在自动化控制系统中实现开关控制、传感器信号处理等功能。 由于UMX5NTR采用小型封装,功耗低且响应速度快,因此特别适合空间受限、要求高密度布线的便携式设备和嵌入式系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 11V 50MA 6UMT两极晶体管 - BJT DUAL NPN 11V 50MA SOT-363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor UMX5NTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | UMX5NTR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 500mV @ 5mA,10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 56 @ 5mA,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 其它名称 | UMX5NDKR |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 3 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 3.2 GHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | UM-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 11V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 50mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 120 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 56 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 11 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 20 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率-跃迁 | 3.2GHz |