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IMX3T108产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMX3T108由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMX3T108价格参考。ROHM SemiconductorIMX3T108封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN(双) 50V 150mA 180MHz 300mW 表面贴装 SMT6。您可以下载IMX3T108参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMX3T108 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为IMX3T108的晶体管属于双极型晶体管(BJT)阵列器件。该器件通常集成多个BJT晶体管在一个封装中,适用于需要多个晶体管协同工作的电路设计,有助于减少PCB空间占用并提升设计效率。 IMX3T108的应用场景主要包括: 1. 通用开关电路:适用于数字电路中的电平转换、逻辑控制、继电器驱动等场景。 2. 放大电路:可用于音频放大器、信号放大器等低频模拟电路中,作为前置放大或驱动级使用。 3. 马达驱动与继电器控制:在小型电机、风扇、继电器等负载的控制电路中,作为开关元件使用。 4. LED驱动:适用于LED背光、指示灯等小功率LED驱动应用。 5. 工业自动化与控制设备:用于PLC、传感器接口、工业仪表等设备中,实现信号处理和控制功能。 6. 消费类电子产品:如家电控制板、智能玩具、小型电子设备中,作为基础开关或放大元件。 该器件具有较高的稳定性和可靠性,适合中低功率应用场景,是电子系统中常用的通用型晶体管阵列器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 50V 150MA 6SMT两极晶体管 - BJT DUAL NPN 50V 150MA SOT-457 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMX3T108- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMX3T108 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMX3T108CT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | SMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 60 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.4 V |
| 集电极连续电流 | 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz |