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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IMX25T110由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IMX25T110价格参考。ROHM SemiconductorIMX25T110封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IMX25T110参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IMX25T110 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Rohm Semiconductor(罗姆半导体)的型号为IMX25T110的晶体管,属于双极型晶体管(BJT)阵列器件。该器件通常集成多个BJT晶体管在一个封装中,适用于需要多个晶体管协同工作的电路设计,以节省空间并提高集成度。 IMX25T110的应用场景主要包括: 1. 电源管理电路:用于DC-DC转换器、稳压电路中的开关控制部分,实现对电源的高效管理。 2. 驱动电路:常用于LED驱动、马达驱动或继电器驱动电路中,作为开关元件使用,控制负载的通断。 3. 信号处理与放大:在音频放大器或信号调理电路中作为前置放大或驱动级使用。 4. 工业控制:在工业自动化设备中,用于控制执行机构如电磁阀、传感器接口等。 5. 消费类电子产品:如电视、音响设备、家用电器等,用于内部电源控制和信号处理。 该器件具有良好的稳定性和可靠性,适合中低功率应用场景,是电子设计中常用的通用型晶体管阵列之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 20V 300MA 6SMT两极晶体管 - BJT TRANS GP BJT NPN 20V 0.3A 6PIN |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor IMX25T110- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IMX25T110 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 100mV @ 3mA,30mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 820 @ 4ma,2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT6 |
| 其它名称 | IMX25T110DKR |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 25 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 35 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74,SOT-457 |
| 封装/箱体 | SMT-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.3 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 20V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 300mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
| 直流电流增益hFE最大值 | 2700 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 820 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 20 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 50 mV |
| 集电极连续电流 | 300 mA |
| 频率-跃迁 | 35MHz |