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  • 型号: NST3946DP6T5G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NST3946DP6T5G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST3946DP6T5G价格参考。ON SemiconductorNST3946DP6T5G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NST3946DP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NST3946DP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NST3946DP6T5G 是一款来自 ON Semiconductor(安森美半导体)的双极性晶体管 (BJT) 阵列。该型号属于晶体管阵列类别,内部集成了多个 BJT 晶体管,适用于多种电子电路设计。以下是其主要应用场景:

1. 信号放大:  
   NST3946DP6T5G 可用于音频信号放大、射频信号放大或其他低噪声放大场景。由于其集成多路 BJT 的特性,适合需要多通道信号放大的应用。

2. 开关电路:  
   该器件可作为电子开关使用,适用于驱动小型负载或控制电路中的信号通断。例如,在多路复用器或多路选择器中,可以利用其晶体管阵列实现高效的信号切换。

3. 电源管理:  
   在低功耗系统中,该 BJT 阵列可用于简单的电压调节或电流限制功能。通过配置适当的外围电路,可以实现对电池供电设备的保护和优化。

4. 传感器接口:  
   BJT 阵列能够将微弱的传感器信号进行放大或转换为适合后续处理的电平信号。例如,在温度、压力或光敏传感器的应用中,它可以充当信号调理的一部分。

5. 逻辑电平转换:  
   由于其多路晶体管结构,NST3946DP6T5G 可用于不同逻辑电平之间的转换,特别是在混合信号系统中需要兼容多种电压标准时。

6. 电机驱动与控制:  
   对于小型直流电机或步进电机,该器件可以提供基础的驱动能力,配合其他元件实现速度和方向控制。

7. 消费类电子产品:  
   在便携式设备(如遥控器、玩具、家用电器等)中,该 BJT 阵列可以用作信号处理、功率分配或简单逻辑运算的核心组件。

总之,NST3946DP6T5G 凭借其紧凑的封装形式和高集成度,非常适合需要多路晶体管功能的中小型应用场合,同时兼顾成本效益和性能稳定性。具体使用时需根据实际需求设计合适的外围电路,并参考官方数据手册以确保工作条件符合规格要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS NPN/PNP 40V 200MA SOT963两极晶体管 - BJT LESHAN DUAL COMPLMNT SOT-963

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

ON Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST3946DP6T5G-

数据手册

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产品型号

NST3946DP6T5G

PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,50mA / 400mV @ 5mA,50mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 10mA,1V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-963

功率-最大值

350mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

ON Semiconductor

增益带宽产品fT

200 MHz, 250 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-963

封装/箱体

SOT-963

工厂包装数量

8000

晶体管极性

NPN/PNP

晶体管类型

NPN,PNP

最大功率耗散

420 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.2 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

8,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

200mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

40 at 0.1 mA at 1 V

系列

NST3946DP6

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

60 V

频率-跃迁

200MHz,250MHz

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