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Datasheet下载- 型号： PBSS4032SPN,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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PBSS4032SPN,115产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4032SPN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4032SPN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4032SPN,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 5.7A, 4.8A 140MHz, 115MHz 2.3W Surface Mount 8-SO。您可以下载PBSS4032SPN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4032SPN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PBSS4032SPN,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管（BJT）阵列，采用 SOT-883（0.65 mm pitch）超小型封装，内含两个独立的 NPN 晶体管，具有高增益（hFE 典型值 250@Ic=10 mA）、低饱和压降（VCE(sat) 低至 0.15 V@Ic=100 mA）、高击穿电压（VCEO = 32 V）及良好热稳定性。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备的信号切换与逻辑电平转换：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的LED驱动、传感器接口或GPIO扩展电路； 2. 小型化电源管理：用于DC-DC转换器中的基准电流源、使能控制、负载开关或LDO反馈回路； 3. 工业与消费类IoT节点：在空间受限的MCU外围电路中实现信号放大、光电耦合器驱动、继电器/蜂鸣器驱动（需外接限流电阻）； 4. 汽车电子辅助模块：符合AEC-Q101可靠性标准（该型号为工业级，非车规版；若用于车载须确认具体批次认证），适用于车身控制模块（BCM）中非安全关键的低压信号调理。 注：PBSS4032SPN,115 非车规级器件（无AEC-Q101认证），不推荐用于ASIL-B及以上功能安全场景；其小尺寸与低功耗特性特别适合对PCB面积和功耗敏感的电池供电应用。设计时需注意散热限制（最大Ptot ≈ 350 mW）及ESD防护（HBM ±2 kV）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 30V 5.7A/4.8A 8SO两极晶体管 - BJT Dual +/-30V '+5.7A -5.7A 0.73W 140MHz |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4032SPN,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PBSS4032SPN,115 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 450mV @ 300mA，6A / 510mV @ 250mA，5A |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 250 @ 2A，2V / 150 @ 2A，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 568-6400-1 |
| 功率-最大值 | 2.3W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | + 5 V, - 5 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 0.73 W |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 5.7A，4.8A |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 30 V, + 30 V |
| 集电极连续电流 | + 5.7 A, - 5.7 A |
| 频率-跃迁 | 140MHz，115MHz |
