【未分类_NST3906DP6T5G】封装/厂家_NST3906DP6T5G中文资料_价格

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型号： NST3906DP6T5G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NST3906DP6T5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST3906DP6T5G价格参考。ON SemiconductorNST3906DP6T5G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NST3906DP6T5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NST3906DP6T5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NST3906DP6T5G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的双极性晶体管（BJT）阵列。该型号的应用场景主要包括以下几类：

1. 信号切换与放大：  
   NST3906DP6T5G 适用于低功率信号切换和放大的场景，例如音频信号处理、传感器信号放大或数据通信中的信号调节。

2. 逻辑电路设计：  
   由于其包含多个 BJT 单元，该器件非常适合用于构建多输入或多输出的逻辑门电路，例如与门、或门等，广泛应用于小型化逻辑电路设计中。

3. 驱动应用：  
   可用于驱动小型负载，如 LED 指示灯、小型继电器或其他低功率电子元件。其高增益特性能够有效提升驱动能力。

4. 电源管理：  
   在某些低功耗系统中，可以利用该器件实现简单的电流控制或电压调节功能，例如电池管理系统中的保护电路。

5. 消费电子设备：  
   常见于家用电子产品中，如遥控器、玩具、小型家电等，用于信号处理和控制功能。

6. 工业自动化：  
   在工业领域，该晶体管阵列可用于简单的开关控制或信号隔离，支持工厂自动化中的低功耗需求。

7. 汽车电子：  
   虽然主要面向低功耗场景，但在汽车电子中也可用于辅助功能，例如仪表盘指示灯控制或简单传感器信号处理。

总体而言，NST3906DP6T5G 的小尺寸和多单元设计使其成为需要紧凑型解决方案的应用的理想选择，尤其适合对成本敏感且性能要求适中的场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	TRANS DUAL PNP 40V 200MA SOT963两极晶体管 - BJT DUAL PNP GP TRANS SOT-963
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	ON Semiconductor
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST3906DP6T5G-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	NST3906DP6T5G
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	400mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	100 @ 10mA，1V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	SOT-963
其它名称	NST3906DP6T5G-ND NST3906DP6T5GOSTR
功率-最大值	350mW
包装	带卷（TR）
发射极-基极电压VEBO	5 V
商标	ON Semiconductor
增益带宽产品fT	250 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	SOT-963
封装/箱体	SOT-963
工厂包装数量	8000
晶体管极性	PNP
晶体管类型	2 PNP（双）
最大功率耗散	280 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	0.2 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	8,000
电压-集射极击穿（最大值）	40V
电流-集电极(Ic)（最大值）	200mA
电流-集电极截止（最大值）	-
直流电流增益hFE最大值	60 at 0.1 mA at 1 V
直流集电极/BaseGainhfeMin	60
系列	NST3906DP6
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	40 V
集电极—基极电压VCBO	40 V
频率-跃迁	250MHz

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