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Datasheet下载- 型号： FMY5T148
- 制造商： ROHM Semiconductor
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FMY5T148产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FMY5T148由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FMY5T148价格参考。ROHM SemiconductorFMY5T148封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP (Emitter Coupled) 120V 50mA 140MHz 300mW Surface Mount SMT5。您可以下载FMY5T148参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FMY5T148 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FMY5T148是罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款双极性晶体管（BJT）阵列器件，常用于需要多个晶体管集成应用的电路设计中。该器件由于其集成特性，在多个电子系统中有广泛的应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于开关电源、DC-DC转换器等电路中，实现电流控制与功率开关功能。 2. 电机驱动电路：在小型电机或步进电机的驱动电路中，FMY5T148可以用于构建H桥驱动结构，实现电机正反转控制。 3. 逻辑控制电路：作为逻辑电路中的开关元件，用于实现信号的放大、开关和逻辑控制功能。 4. 汽车电子系统：如车灯控制、电动窗、座椅调节等模块中，适用于需要多个晶体管协同工作的场合。 5. 工业自动化设备：用于继电器驱动、传感器信号处理、PLC控制等工业控制电路中。 6. 消费类电子产品：如打印机、扫描仪、家用电器等设备中，用于驱动负载或信号切换。 该器件具有封装小、集成度高、响应速度快等优点，适合高密度PCB布局和中低功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 120V 50MA 5SMT两极晶体管 - BJT NPN/PNP 120V 50MA |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Rohm Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor FMY5T148- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FMY5T148 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 500mV @ 1mA，10mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 180 @ 100mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SMT5 |
| 其它名称 | FMY5T148CT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74A，SOT-753 |
| 封装/箱体 | SC-74A-5 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP（耦合发射器） |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.05 A |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 120V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 50mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 820 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 180 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 120 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 120 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.5 V |
| 集电极连续电流 | 50 mA |
| 频率-跃迁 | 140MHz |
