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型号： PBSS4230PAN,115
制造商： NXP Semiconductors
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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PBSS4230PAN,115产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供PBSS4230PAN,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PBSS4230PAN,115价格参考。NXP SemiconductorsPBSS4230PAN,115封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array 30V 2A 120MHz 510mW 表面贴装 6-HUSON-EP（2x2）。您可以下载PBSS4230PAN,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PBSS4230PAN,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PBSS4230PAN,115是Nexperia USA Inc.生产的一款双极结型晶体管（BJT）阵列器件，属于晶体管-双极（BJT）-阵列类别。该器件集成了两个PNP型晶体管，采用小型SOT762-1（DCP10）封装，具有高电流密度和优良的热稳定性，适用于空间受限的高性能应用。

其主要应用场景包括便携式电子设备、消费类电子产品和工业控制电路。典型用途涵盖电源管理中的负载开关、LED驱动电路中的电流控制、信号路由与电平转换，以及音频放大器中的前置驱动级。由于其具备高增益和低饱和电压特性，特别适合电池供电设备中对能效要求较高的场合，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。

此外，PBSS4230PAN,115还广泛用于需要多路晶体管集成的小型化设计，例如传感器接口电路、逻辑缓冲器及电机驱动模块。其优异的开关性能和可靠性也使其适用于汽车电子系统中的辅助功能模块，如车灯控制、车载信息娱乐系统等非关键性但需稳定运行的场景。

综上所述，PBSS4230PAN,115凭借其紧凑封装、高效性能和高集成度，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子等领域，尤其适合追求小型化与高能效的设计需求。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	TRANS DUAL NPN 30V 2A 6HUSON两极晶体管 - BJT 30V 2A NPN/PNP lo VCEsat transistor
产品分类	晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体
品牌	NXP Semiconductors
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PBSS4230PAN,115-
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	PBSS4230PAN,115
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值）	290mV @ 200mA，2A
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值）	200 @ 1A，2V
产品种类	两极晶体管 - BJT
供应商器件封装	6-HUSON（2X2）
其它名称	568-10201-6
功率-最大值	510mW
包装	Digi-Reel®
发射极-基极电压VEBO	7 V
商标	NXP Semiconductors
增益带宽产品fT	120 MHz
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	6-UDFN 裸露焊盘
封装/箱体	DFN2020-6
工厂包装数量	3000
晶体管极性	NPN
晶体管类型	-
最大功率耗散	1450 mW
最大工作温度	+ 150 C
最大直流电集电极电流	3 A
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
特色产品	http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/nxp-semiconductors-double-transistors-dfn2020-6/3762
电压-集射极击穿（最大值）	30V
电流-集电极(Ic)（最大值）	2A
电流-集电极截止（最大值）	100nA（ICBO）
直流电流增益hFE最大值	380
直流集电极/BaseGainhfeMin	250
配置	Dual
集电极—发射极最大电压VCEO	30 V
集电极—基极电压VCBO	30 V
集电极—射极饱和电压	60 mV
集电极连续电流	2 A
频率-跃迁	120MHz