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  • 型号: BC856S,115
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供BC856S,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BC856S,115价格参考。NXP SemiconductorsBC856S,115封装/规格:晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列, Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 65V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP。您可以下载BC856S,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BC856S,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Nexperia USA Inc. 的 BC856S,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,属于通用小信号PNP型晶体管,常用于低功耗模拟和数字电路中。该型号采用SOT-23封装,具有体积小、可靠性高、开关响应快等特点,适用于需要节省空间的高密度电路设计。

典型应用场景包括:  
1. 信号放大:在音频、传感器或微弱信号处理电路中作为前置放大器使用,实现小信号的线性放大。  
2. 开关控制:广泛应用于便携式电子设备中的LED驱动、继电器控制、电源管理模块等,作为高速开关元件,实现低电流负载的通断控制。  
3. 逻辑接口电路:在数字系统中用于电平转换或驱动不同电压域之间的信号接口,如微控制器与外围器件之间的缓冲级。  
4. 消费类电子产品:常见于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、智能家居设备等,用于电源切换、状态指示、传感器信号调理等功能模块。  
5. 工业与汽车电子:因其良好的温度稳定性和可靠性,也适用于汽车电子中的小型执行器控制或车载信息系统的信号处理部分。

BC856S,115具备优异的电气性能和热稳定性,适合在-55°C至+150°C的宽温范围内工作,满足工业级和汽车级应用需求。同时,其符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,适用于现代化绿色电子产品制造。总体而言,该器件是一款高性价比、多功能的小信号BJT阵列产品,广泛服务于消费、工业及汽车电子领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL PNP 65V 100MA 6TSSOP两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

NXP Semiconductors

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors BC856S,115-

数据手册

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产品型号

BC856S,115

PCN封装

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PCN设计/规格

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不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

300mV @ 5mA,100mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

110 @ 2mA,5V

产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

6-TSSOP

其它名称

568-6079-6

功率-最大值

300mW

包装

Digi-Reel®

发射极-基极电压VEBO

5 V

商标

NXP Semiconductors

增益带宽产品fT

100 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

PNP

晶体管类型

2 PNP(双)

最大功率耗散

300 mW

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.1 A

最小工作温度

- 65 C

标准包装

1

特色产品

http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html

电压-集射极击穿(最大值)

65V

电流-集电极(Ic)(最大值)

100mA

电流-集电极截止(最大值)

15nA (ICBO)

直流电流增益hFE最大值

110 at 2 mA at 5 V

直流集电极/BaseGainhfeMin

110 at 2 mA at 5 V

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

65 V

集电极—基极电压VCBO

80 V

零件号别名

BC856S T/R

频率-跃迁

100MHz

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