Datasheet下载- 型号： HN1A01F-GR(TE85L,F
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供HN1A01F-GR(TE85L,F由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 HN1A01F-GR(TE85L,F价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.HN1A01F-GR(TE85L,F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载HN1A01F-GR(TE85L,F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有HN1A01F-GR(TE85L,F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为HN1A01F-GR(TE85L,F)的晶体管属于Toshiba Semiconductor and Storage（东芝半导体与存储）品牌下的双极性晶体管（BJT）阵列产品。该器件主要应用于需要高频、低噪声放大的模拟电路中，常见于以下几种应用场景： 1. 射频（RF）放大器：适用于无线通信设备中的低噪声前置放大器，用于增强微弱信号。 2. 音频放大电路：作为音频信号的预放大或驱动级使用，因其低噪声特性可提升音质表现。 3. 传感器信号调理：用于传感器接口电路中，放大和处理来自温度、压力等传感器的微弱模拟信号。 4. 工业控制与测量设备：在精密测量仪器或工业自动化系统中，用于信号放大和开关控制。 5. 消费类电子产品：如电视、音响设备、便携式电子设备中作为信号处理元件。 该晶体管采用小型表面贴装封装（如SOT-363），适合高密度PCB布局，具备良好的高频响应和低功耗特性，适用于电池供电设备。其阵列结构设计也可减少外围元件数量，提高系统稳定性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRAN DUAL PNP -50V -0.15A SM6两极晶体管 - BJT Dual Trans PNP x 2 SM6, -50V, -0.15A |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.toshiba.com/taec/Catalog/Product.do?productid=1370900&lineid=48&subfamilyid=1935055&familyid=1912643 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Toshiba HN1A01F-GR(TE85L,F- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=HN1A01F |
| 产品型号 | HN1A01F-GR(TE85L,FHN1A01F-GR(TE85L,F |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 300mV @ 10mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，6V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SM6 |
| 其它名称 | HN1A01F-GR(TE85LFCT |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V |
| 商标 | Toshiba |
| 增益带宽产品fT | 80 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 封装/箱体 | SM-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | PNP |
| 晶体管类型 | 2 PNP（双） |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最大直流电集电极电流 | 150 mA |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） |
| 直流电流增益hFE最大值 | 400 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 0.1 V |
| 频率-跃迁 | 80MHz |
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