Datasheet下载- 型号： SBC846BPDW1T1G
- 制造商： ON Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SBC846BPDW1T1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SBC846BPDW1T1G价格参考。ON SemiconductorSBC846BPDW1T1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SBC846BPDW1T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SBC846BPDW1T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
SBC846BPDW1T1G是安森美（ON Semiconductor）生产的一款双极结型晶体管（BJT）阵列器件，属于NPN型晶体管阵列，采用双芯片设计，集成两个相同规格的NPN晶体管于单一封装中。该器件广泛应用于需要高可靠性、小尺寸和低功耗的电子电路中。 其典型应用场景包括： 1. 电源管理与电压切换：常用于低压电源开关控制，如电池供电设备中的负载开关或电源路径管理。 2. 信号放大与处理：适用于音频信号、传感器信号等小信号放大电路，尤其在便携式消费类电子产品中表现优异。 3. 逻辑电平转换：在数字系统中实现不同电压域之间的信号电平转换，如将3.3V逻辑信号转换为5V信号，广泛用于微控制器接口电路。 4. 驱动电路：可用于驱动LED、继电器、小型电机等负载，适合工业控制、汽车电子中的低功率驱动应用。 5. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的内部信号控制与电源管理模块。 SBC846BPDW1T1G采用先进的制造工艺，具有高增益、低饱和压降和优良的热稳定性，工作温度范围宽，适合工业级和汽车级应用环境。其小型化封装（如SC-70或类似）节省PCB空间，特别适用于高密度布局的便携设备。总体而言，该器件是一款高性能、高集成度的通用型BJT阵列，适用于多种中低功率模拟与数字电路场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 65V 100MA SOT363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | SBC846BPDW1T1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 600mV @ 5mA，100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 200 @ 2mA，5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 65V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 100mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | 15nA （ICBO） |
| 频率-跃迁 | 100MHz |
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