Datasheet下载- 型号： MMDT2222A-7-F
- 制造商： Diodes Inc.
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT2222A-7-F由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT2222A-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT2222A-7-F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MMDT2222A-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MMDT2222A-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT2222A-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列，其主要应用场景包括以下方面： 1. 信号放大：MMDT2222A-7-F 内部集成了多个 MMBT2222A BJT 晶体管，适用于低噪声和高增益的信号放大电路。例如，在音频设备中，可以用于前置放大器或麦克风信号放大。 2. 开关电路：该器件的高频特性和快速开关能力使其非常适合用作开关元件。在电源管理、继电器驱动、LED 驱动等场景中，能够实现高效且稳定的开关功能。 3. 射频（RF）应用：由于 MMBT2222A 的高频性能（ft = 300 MHz），MMDT2222A-7-F 在射频领域也有广泛应用，如无线通信模块中的小信号放大或混频器设计。 4. 传感器接口：在工业自动化或消费电子中，常需要将传感器输出的微弱信号进行调理和放大。MMDT2222A-7-F 可以作为核心元件构建此类信号处理电路。 5. 电机控制与驱动：虽然不是大功率器件，但其适中的电流承载能力（Ic = 600mA）允许其用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中。 6. 保护电路：利用 BJT 的特性，该阵列可用于过流保护、短路检测等安全相关的电路设计。 7. 多通道应用：由于是阵列形式，一块芯片内包含多个独立的 BJT，因此特别适合需要多路并行处理的应用场合，比如多通道音频放大器或多路信号切换。 总结来说，MMDT2222A-7-F 凭借其紧凑封装、高性能参数以及集成化优势，广泛应用于消费类电子产品、通信设备、工业控制系统以及其他需要高效信号处理和控制的领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 600MA SOT363两极晶体管 - BJT 40V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT2222A-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT2222A-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 1V @ 50mA，500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 100 @ 150mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT2222A-FDITR |
| 其它图纸 |
|
| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN（双） |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 40V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 600mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMDT2222A |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 75 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |
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