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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT2222A-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT2222A-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT2222A-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDT2222A-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDT2222A-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MMDT2222A-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,采用SOT-23-6封装,内部集成两个独立的NPN型晶体管(共发射极结构),其电气特性与经典2N2222A一致,具有高增益(hFE典型值100–300)、低饱和压降和良好开关/放大性能。 典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与信号缓冲:在MCU(如TI MSP430、C2000)外围电路中,驱动LED、继电器或光耦输入端,实现5V/3.3V系统间接口隔离与电流增强; 2. 小型负载开关控制:用于便携设备(如手持仪表、传感器节点)中控制蜂鸣器、小型直流电机(<100mA)、RGB LED等低功率负载; 3. 差分对/简易模拟开关:在低成本模拟前端中构成电流镜、有源负载或简单多路选择器; 4. 工业I/O模块:作为PLC数字输出通道的末级驱动单元,配合限流电阻与续流二极管,提升抗干扰能力与驱动可靠性; 5. 电源管理辅助电路:用于LDO使能控制、电池充电状态指示、电源通断检测等低功耗监控功能。 该器件具备±2kV HBM ESD防护(符合JEDEC标准),工作结温范围宽(−55°C 至 +150°C),适合消费电子、工业控制及汽车电子(非安全关键子系统)等对成本、尺寸与可靠性有综合要求的应用场景。注意:不适用于高频射频或大功率开关场合(fₜ≈300MHz,Ic连续最大200mA)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 40V 600MA SOT363两极晶体管 - BJT 40V 200mW |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT2222A-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MMDT2222A-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 1V @ 50mA,500mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 100 @ 150mA,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
| 其它名称 | MMDT2222A-FDITR |
| 其它图纸 |
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| 功率-最大值 | 200mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 增益带宽产品fT | 300 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双) |
| 最大功率耗散 | 0.2 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.6 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 40V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 600mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 300 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 100 |
| 系列 | MMDT2222A |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 40 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 75 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 1 V |
| 集电极连续电流 | 0.6 A |
| 频率-跃迁 | 300MHz |