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  • 型号: MMDT2222A-7-F
  • 制造商: Diodes Inc.
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MMDT2222A-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MMDT2222A-7-F价格参考。Diodes Inc.MMDT2222A-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MMDT2222A-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MMDT2222A-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MMDT2222A-7-F 是德州仪器(Texas Instruments)推出的双极结型晶体管(BJT)阵列,采用SOT-23-6封装,内部集成两个独立的NPN型晶体管(共发射极结构),其电气特性与经典2N2222A一致,具有高增益(hFE典型值100–300)、低饱和压降和良好开关/放大性能。

典型应用场景包括:  
1. 数字逻辑电平转换与信号缓冲:在MCU(如TI MSP430、C2000)外围电路中,驱动LED、继电器或光耦输入端,实现5V/3.3V系统间接口隔离与电流增强;  
2. 小型负载开关控制:用于便携设备(如手持仪表、传感器节点)中控制蜂鸣器、小型直流电机(<100mA)、RGB LED等低功率负载;  
3. 差分对/简易模拟开关:在低成本模拟前端中构成电流镜、有源负载或简单多路选择器;  
4. 工业I/O模块:作为PLC数字输出通道的末级驱动单元,配合限流电阻与续流二极管,提升抗干扰能力与驱动可靠性;  
5. 电源管理辅助电路:用于LDO使能控制、电池充电状态指示、电源通断检测等低功耗监控功能。

该器件具备±2kV HBM ESD防护(符合JEDEC标准),工作结温范围宽(−55°C 至 +150°C),适合消费电子、工业控制及汽车电子(非安全关键子系统)等对成本、尺寸与可靠性有综合要求的应用场景。注意:不适用于高频射频或大功率开关场合(fₜ≈300MHz,Ic连续最大200mA)。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

TRANS DUAL NPN 40V 600MA SOT363两极晶体管 - BJT 40V 200mW

产品分类

晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体

品牌

Diodes Incorporated

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,两极晶体管 - BJT,Diodes Incorporated MMDT2222A-7-F-

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产品型号

MMDT2222A-7-F

PCN设计/规格

点击此处下载产品Datasheet点击此处下载产品Datasheet

RoHS指令信息

http://diodes.com/download/4349

不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值)

1V @ 50mA,500mA

不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值)

100 @ 150mA,10V

产品目录页面

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产品种类

两极晶体管 - BJT

供应商器件封装

SOT-363

其它名称

MMDT2222A-FDITR
MMDT2222A7F

其它图纸

功率-最大值

200mW

包装

带卷 (TR)

发射极-基极电压VEBO

6 V

商标

Diodes Incorporated

增益带宽产品fT

300 MHz

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装/箱体

SOT-363

工厂包装数量

3000

晶体管极性

NPN

晶体管类型

2 NPN(双)

最大功率耗散

0.2 W

最大工作温度

+ 150 C

最大直流电集电极电流

0.6 A

最小工作温度

- 55 C

标准包装

3,000

电压-集射极击穿(最大值)

40V

电流-集电极(Ic)(最大值)

600mA

电流-集电极截止(最大值)

-

直流电流增益hFE最大值

300

直流集电极/BaseGainhfeMin

100

系列

MMDT2222A

配置

Dual

集电极—发射极最大电压VCEO

40 V

集电极—基极电压VCBO

75 V

集电极—射极饱和电压

1 V

集电极连续电流

0.6 A

频率-跃迁

300MHz

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