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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PMP4201G,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMP4201G,115价格参考。NXP SemiconductorsPMP4201G,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PMP4201G,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PMP4201G,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PMP4201G,115 是 NXP USA Inc. 推出的双极性晶体管(BJT)阵列,采用 SOT-363(SC-70-6)封装,内含两个独立的 NPN 晶体管,具有匹配特性、低饱和电压(VCE(sat) ≈ 0.15 V @ IC = 10 mA)和高直流电流增益(hFE 典型值 250–600),适用于空间受限、需双路开关或放大功能的低功耗场景。 典型应用场景包括: 1. 数字逻辑电平转换与接口驱动:在 MCU(如 ARM Cortex-M 系列)与外部 5 V 或 3.3 V 数字器件间实现双向电平适配与信号缓冲; 2. LED 驱动电路:驱动小功率指示 LED 或段式数码管的位/段控制,双晶体管可分别控制两路负载,提升 PCB 布局效率; 3. 传感器信号调理前端:配合光电二极管、霍尔传感器等微弱信号源,构成简易电流放大器或达林顿预放大级; 4. 电源管理辅助电路:用于低压差稳压器(LDO)使能控制、电池电量检测开关,或 DC-DC 转换器中的反馈/使能信号隔离; 5. 消费电子待机控制:在智能音箱、遥控器、IoT 终端中实现低功耗唤醒路径中的双路信号路由或状态锁存。 其高匹配性与小尺寸特别适合便携设备、可穿戴产品及高密度板卡设计。注意:不适用于大电流(IC > 100 mA)或高频射频应用,建议工作结温 ≤ 150°C,并遵循 NXP 官方推荐的PCB焊盘热设计规范。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA 5TSSOP两极晶体管 - BJT MATCHED PAIR |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PMP4201G,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMP4201G,115 |
| PCN封装 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 5-TSSOP |
| 其它名称 | 568-6748-6 |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 增益带宽产品fT | 250 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP(5 引线),SC-88A,SOT-353 |
| 封装/箱体 | SOT-353 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双)配对,共发射极 |
| 最大功率耗散 | 300 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 65 C |
| 标准包装 | 1 |
| 特色产品 | http://www.digikey.com/cn/zh/ph/NXP/I2C.html |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 200 at 2 mA at 5 V |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 2 mA at 5 V |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 零件号别名 | PMP4201G T/R |
| 频率-跃迁 | 250MHz |