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Datasheet下载- 型号： UMZ2NTR
- 制造商： ROHM Semiconductor
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- 要求：
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UMZ2NTR产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供UMZ2NTR由ROHM Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMZ2NTR价格参考。ROHM SemiconductorUMZ2NTR封装/规格：晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列， Bipolar (BJT) Transistor Array NPN，PNP 50V 150mA 180MHz，140MHz 150mW 表面贴装 UMT6。您可以下载UMZ2NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有UMZ2NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
UMZ2NTR是罗姆半导体（Rohm Semiconductor）生产的一款双极结型晶体管（BJT）阵列器件，属于小型信号晶体管，采用双NPN结构，封装为超小型贴片式（如SOT-563），适合高密度贴装。该器件主要用于需要低功耗、小信号处理的便携式电子设备中。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的逻辑电平转换、开关控制和信号放大电路。由于其封装小巧，特别适用于空间受限的便携设备。在LED驱动电路中，UMZ2NTR可用于控制小型指示灯或背光LED的通断。此外，它也常用于传感器信号调理电路中，作为微弱信号的放大或缓冲级，例如在温度、光感或运动传感器模块中实现信号处理。 该器件具有低饱和电压、快速开关响应和良好的热稳定性，适合电池供电设备以延长续航时间。在电源管理电路中，可用于实现简单的负载开关或电压检测功能。工业控制模块、无线通信模块（如蓝牙/Wi-Fi模组）中也常见其用于小信号切换与驱动。 总之，UMZ2NTR凭借其小尺寸、低功耗和高可靠性，广泛应用于各类高集成度电子系统中的信号控制与处理环节。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6UMT两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-363 |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ROHM Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor UMZ2NTR- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | UMZ2NTR |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 400mV @ 5mA，50mA / 500mV @ 5mA，50mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，6V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | UMT6 |
| 其它名称 | UMZ2NCT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | - 6 V, + 7 V |
| 商标 | ROHM Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 140 MHz, 180 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | UM-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 150 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 150mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 560 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V, + 50 V |
| 集电极—基极电压VCBO | - 60 V, + 60 V |
| 集电极连续电流 | - 150 mA / + 150 mA |
| 频率-跃迁 | 180MHz，140MHz |
