Datasheet下载- 型号： MCH6541-TL-E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6541-TL-E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6541-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6541-TL-E封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载MCH6541-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有MCH6541-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6541-TL-E是安森美（ON Semiconductor）推出的一款双极结型晶体管（BJT）阵列器件，属于小型化、高效率的表面贴装晶体管阵列产品。该型号集成了两个独立的NPN型晶体管，采用SOT-563（SC-88）超小型封装，适用于空间受限的便携式电子设备。 其典型应用场景包括： 1. 便携式消费类电子产品：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中用于信号切换、电平转换或驱动小功率负载。 2. 电源管理电路：在DC-DC转换器、电压检测或电源开关控制中作为驱动管使用，实现高效能电源管理。 3. 逻辑接口与驱动电路：用于微控制器与外围器件之间的信号缓冲、放大或逻辑电平匹配。 4. LED驱动：适用于低电流指示灯或背光LED的开关控制。 5. 高频小信号放大：在射频模块或传感器信号调理电路中实现小信号放大功能。 MCH6541-TL-E具有低饱和压降、快速开关响应和良好热稳定性等特点，同时支持高密度PCB布局，非常适合追求小型化与高可靠性的现代电子设计。广泛应用于通信设备、工业控制、汽车电子（非动力系统）及智能家居等领域的低功耗、中等频率电路中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS NPN/PNP 30V 700MA 6MCPH两极晶体管 - BJT 2.5/3.3V 4:1 DIFF MUX |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor MCH6541-TL-E- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | MCH6541-TL-E |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值（最大值） | 190mV @ 10mA，200mA / 220mV @ 10mA，200mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)（最小值） | 300 @ 50mA，2V / 200 @ 10mA，2V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | 6-MCPH |
| 功率-最大值 | 550mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 发射极-基极电压VEBO | 5 V, - 5 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 540 MHz, 520 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-SMD，扁平引线 |
| 封装/箱体 | MCPH-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN/PNP |
| 晶体管类型 | NPN，PNP |
| 最大功率耗散 | 0.55 W |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 3 A, - 3 A |
| 标准包装 | 3,000 |
| 电压-集射极击穿（最大值） | 30V |
| 电流-集电极(Ic)（最大值） | 700mA |
| 电流-集电极截止（最大值） | - |
| 直流电流增益hFE最大值 | 800, 500 |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 300, 200 |
| 系列 | MCH6541 |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 30 V, - 30 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 40 V, - 30 V |
| 集电极—射极饱和电压 | 85 mV, - 110 mV |
| 集电极连续电流 | 700 mA, - 700 mA |
| 频率-跃迁 | 540MHZ，520MHz |
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