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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PEMZ7,115由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PEMZ7,115价格参考。NXP SemiconductorsPEMZ7,115封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PEMZ7,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PEMZ7,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PEMZ7,115 是一款双极结型晶体管(BJT)阵列器件,内部集成了两个匹配的PNP型晶体管,采用SOT363小型封装,适用于空间受限的高密度电路设计。该器件具有良好的热稳定性和电气匹配特性,常用于需要精确信号控制和电流放大的应用场景。 PEMZ7,115广泛应用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与信号切换电路。由于其低功耗和高可靠性,也常见于消费类电子产品中的LED驱动、音频放大器偏置电路以及小型继电器或马达驱动控制。此外,在工业控制、传感器接口电路和通信模块中,该器件可用于电平转换、小信号放大和逻辑缓冲功能。 其匹配的晶体管特性使其特别适合差分放大电路或互补推挽输出结构,有助于提升电路对称性和减少失真。同时,SOT363封装支持表面贴装工艺,便于自动化生产,提高制造效率。 总之,PEMZ7,115凭借其小型化、高集成度和稳定性能,主要应用于对空间和能效要求较高的消费电子、工业控制和通信设备中,是现代电子系统中理想的信号处理与驱动元件。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 12V 500MA SOT666两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | NXP Semiconductors |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,NXP Semiconductors PEMZ7,115- |
数据手册 | |
产品型号 | PEMZ7,115 |
PCN封装 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 220mV @ 10mA,200mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 10mA,2V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SOT-666 |
其它名称 | 934056714115 |
功率-最大值 | 300mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | NXP Semiconductors |
增益带宽产品fT | 420 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 |
封装/箱体 | SOT-666 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 300 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.5 A |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 4,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 12V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 500mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 200 at 10 mA at 2 V |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 200 at 10 mA at 2 V |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 12 V |
集电极—基极电压VCBO | 15 V |
零件号别名 | PEMZ7 T/R |
频率-跃迁 | 420MHz,280MHz |