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产品简介:
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BC847CDW1T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT)阵列,具体型号为 BC847C。它属于小信号 NPN 晶体管系列,具有低饱和电压和高电流增益的特点,适用于多种电子电路设计。以下是其主要应用场景: 1. 开关应用 - BC847CDW1T1G 常用于数字逻辑电平的开关电路中。由于其出色的开关速度和低饱和电压,适合驱动继电器、小型电机或 LED 等负载。 - 在电源管理中,可以用作简单的电子开关来控制设备的通断。 2. 信号放大 - 该晶体管可用于音频信号放大器中,处理低功率音频信号的放大任务。 - 在无线通信或传感器信号处理中,可作为前置放大器对微弱信号进行增强。 3. 保护电路 - BC847CDW1T1G 可用作过流保护或短路保护电路中的关键元件,通过检测异常电流并触发保护机制来防止系统损坏。 4. 脉宽调制 (PWM) 控制 - 在 PWM 驱动电路中,这款晶体管可以用来调节输出功率,例如控制直流电机的速度或亮度调节(如 LED 调光)。 5. 多通道应用 - 由于这是一个晶体管阵列(包含多个 BJT),因此非常适合需要同时控制多个独立通道的应用场景,比如多路信号切换或多点驱动。 6. 消费电子产品 - 广泛应用于家用电器、遥控器、玩具等低功耗消费类电子产品中,提供可靠的小信号处理能力。 总之,BC847CDW1T1G 凭借其高性能参数和紧凑封装形式,在各种低功耗、小信号处理领域表现出色,是一款经济实用的通用型双极型晶体管。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT 100mA 50V Dual NPN |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor BC847CDW1T1G- |
数据手册 | |
产品型号 | BC847CDW1T1G |
PCN设计/规格 | |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
其它名称 | BC847CDW1T1GOSCT |
功率-最大值 | 380mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
发射极-基极电压VEBO | 6 V |
商标 | ON Semiconductor |
增益带宽产品fT | 100 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | SC-70-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
晶体管类型 | 2 NPN(双) |
最大功率耗散 | 380 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 420 |
系列 | BC846C |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
集电极—基极电压VCBO | 50 V |
集电极—射极饱和电压 | 0.6 V |
集电极连续电流 | 0.1 A |
频率-跃迁 | 100MHz |