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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NST45011MW6T1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NST45011MW6T1G价格参考。ON SemiconductorNST45011MW6T1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NST45011MW6T1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NST45011MW6T1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NST45011MW6T1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款双极性晶体管阵列器件,属于BJT(双极结型晶体管)阵列类别。该器件内部集成了多个晶体管,通常用于需要多路开关或放大功能的电路中。 应用场景包括: 1. 数字开关控制:适用于需要多个晶体管并行工作的场合,如LED驱动、继电器驱动、电机控制等。 2. 接口电路:在微控制器与外围设备之间作为信号放大或电平转换使用。 3. 电源管理:可用于低功耗电源切换和负载控制。 4. 工业自动化:在PLC模块、传感器信号调理电路中作为开关元件。 5. 消费电子:如家用电器中的控制电路,实现对不同负载的高效控制。 其SOT-26封装形式小巧,适合高密度PCB布局,广泛应用于便携式设备和嵌入式系统中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | TRANS DUAL NPN 45V 100MA SOT363两极晶体管 - BJT DUAL MATCHED NPN XSTR 45V |
| 产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ON Semiconductor NST45011MW6T1G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NST45011MW6T1G |
| PCN设计/规格 | |
| 不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
| 不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
| 产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 其它名称 | NST45011MW6T1GOSCT |
| 功率-最大值 | 380mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 发射极-基极电压VEBO | 6 V |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 增益带宽产品fT | 100 MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | NPN |
| 晶体管类型 | 2 NPN(双)配对 |
| 最大功率耗散 | 380 mW |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 电压-集射极击穿(最大值) | 45V |
| 电流-集电极(Ic)(最大值) | 100mA |
| 电流-集电极截止(最大值) | - |
| 直流集电极/BaseGainhfeMin | 150 |
| 系列 | NST45011MW6T1G |
| 配置 | Dual |
| 集电极—发射极最大电压VCEO | 45 V |
| 集电极—基极电压VCBO | 50 V |
| 频率-跃迁 | 100MHz |