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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供UMZ1NTR由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 UMZ1NTR价格参考¥0.57-¥2.66。ROHM SemiconductorUMZ1NTR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载UMZ1NTR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有UMZ1NTR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
UMZ1NTR是由Rohm Semiconductor生产的双极性晶体管(BJT)阵列,广泛应用于各种电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 信号放大:UMZ1NTR可用于音频设备中的信号放大器,如耳机放大器、麦克风前置放大器等。其高增益特性能够有效提升弱电信号的强度。 2. 开关电路:在数字电路中,该器件可作为高速开关使用,适用于驱动LED、继电器或其他低功率负载。其快速开关速度和低饱和电压使其非常适合此类应用。 3. 传感器接口:用于将传感器输出的小电流或电压信号转换为适合后续处理的电平。例如,在温度、压力或光敏传感器中提供必要的信号调理功能。 4. 电源管理:在便携式设备中,UMZ1NTR可以参与稳压电路设计,帮助实现高效的直流-直流转换或者电池充电保护等功能。 5. 电机控制:对于小型直流电机,可以通过配置适当的驱动电路来利用UMZ1NTR实现正转、反转及调速控制。 6. 通信设备:在无线通信模块里,这种类型的晶体管可以用作混频器、振荡器组件的一部分,支持高频信号处理需求。 7. 测试与测量仪器:如示波器探头缓冲器、数据采集系统前端放大器等场合,需要高性能且稳定的放大元件时,UMZ1NTR也是一个不错的选择。 总之,UMZ1NTR凭借其优异的电气性能参数(如低噪声、高电流增益、宽工作频率范围等),成为众多消费类电子产品、工业自动化设备以及科研实验装置的理想选择之一。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | TRANS NPN/PNP 50V 150MA 6UMT两极晶体管 - BJT NPN/PNP 50V 150MA SOT-363 |
产品分类 | 晶体管(BJT) - 阵列分离式半导体 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,两极晶体管 - BJT,ROHM Semiconductor UMZ1NTR- |
数据手册 | |
产品型号 | UMZ1NTR |
不同 Ib、Ic时的 Vce饱和值(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA / 500mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值) | 120 @ 1mA,6V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | 两极晶体管 - BJT |
供应商器件封装 | UMT6 |
其它名称 | UMZ1NTRTR |
功率-最大值 | 150mW |
包装 | 带卷 (TR) |
发射极-基极电压VEBO | + 7 V, - 6 V |
商标 | ROHM Semiconductor |
增益带宽产品fT | 140 MHz, 180 MHz |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
封装/箱体 | UM-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN/PNP |
晶体管类型 | NPN,PNP |
最大功率耗散 | 150 mW |
最大工作温度 | + 150 C |
最大直流电集电极电流 | 0.15 A |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
电压-集射极击穿(最大值) | 50V |
电流-集电极(Ic)(最大值) | 150mA |
电流-集电极截止(最大值) | - |
直流电流增益hFE最大值 | 560 |
直流集电极/BaseGainhfeMin | 120 |
配置 | Dual |
集电极—发射极最大电压VCEO | - 50 V, + 50 V |
集电极—基极电压VCBO | - 60 V, + 60 V |
集电极连续电流 | + 150 mA / - 150 mA |
频率-跃迁 | 180MHz,140MHz |