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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 2N6661JTXP02 是一款 P 沟道增强型功率 MOSFET,常用于需要高效开关和功率控制的场景。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器和电池充电器,因其具备低导通电阻和快速开关特性,有助于提高能效并减少热量产生。 2. 负载开关:可用于控制高电流负载的通断,如电机、灯泡或加热元件,适合工业自动化和汽车电子中的开关应用。 3. 逆变器与转换器:在逆变器系统中作为功率开关使用,常见于太阳能逆变器或不间断电源(UPS)中。 4. 汽车电子:适用于车载电源系统、电动工具及电动车控制器等对可靠性和效率要求较高的环境。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑、平板电源适配器等便携设备中的电源管理系统。 该器件采用小型封装,具有良好的热稳定性和耐用性,适合高密度电路设计和空间受限的应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 90V 860MA TO-205 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | 2N6661JTXP02 |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4 欧姆 @ 1A,10V |
供应商器件封装 | TO-39 |
功率-最大值 | 725mW |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-205AD,TO-39-3 金属罐 |
标准包装 | 20 |
漏源极电压(Vdss) | 90V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 860mA (Tc) |