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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MTB50P03HDLT4由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MTB50P03HDLT4价格参考。ON SemiconductorMTB50P03HDLT4封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MTB50P03HDLT4参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MTB50P03HDLT4 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的MTB50P03HDLT4是一款P沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET),常用于电源管理与开关控制场景。该器件具有低导通电阻、高电流承载能力及良好的热稳定性,适用于对效率和可靠性要求较高的应用。 主要应用场景包括:便携式电子设备(如智能手机、平板电脑)中的电源开关与电池管理电路,用于实现负载开关、电源通断控制;在DC-DC转换器中作为同步整流或高端/低端开关,提升转换效率;还可用于电机驱动、LED驱动及各类消费类电子产品中的电源模块。其封装形式(如DPAK)便于散热,适合在空间受限但需较高功率处理能力的环境中使用。 此外,MTB50P03HDLT4也广泛应用于工业控制、家电和汽车电子中的低压电源系统,例如车载充电系统或辅助电源模块,支持宽温度范围工作,具备较强的环境适应性。总体而言,该MOSFET适合需要高效、小型化和高可靠性的P沟道开关设计场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 50A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | MTB50P03HDLT4 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4900pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 100nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 25 毫欧 @ 25A,5V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | MTB50P03HDLT4OSCT |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 10 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 50A (Tc) |