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Datasheet下载- 型号： BUK7909-75AIE,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7909-75AIE,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7909-75AIE,127价格参考。NXP SemiconductorsBUK7909-75AIE,127封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 75V 75A（Tc） 272W（Tc） TO-220-5。您可以下载BUK7909-75AIE,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7909-75AIE,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 生产的 BUK7909-75AIE,127 是一款单通道 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），具体为 N 沟道增强型 MOSFET。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效能电力转换和控制应用。 应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC 转换器：BUK7909-75AIE,127 可用于设计高效的降压、升压或升降压 DC-DC 转换器，广泛应用于消费电子、工业设备和汽车电子中。 - 线性稳压器：作为开关元件，它可以在低压差线性稳压器（LDO）中提供高效的电流控制。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在 BLDC 电机驱动电路中，MOSFET 用于实现相位切换和速度控制，确保电机高效运行。 - 步进电机驱动：通过精确控制电流，MOSFET 可以提高步进电机的精度和响应速度。 3. 电池管理系统（BMS）： - 电池充放电保护：MOSFET 可用于电池保护电路中，防止过充、过放和短路等异常情况，确保电池的安全性和寿命。 - 负载开关：在电池供电系统中，MOSFET 可作为负载开关，根据需要接通或断开负载，减少功耗。 4. 工业自动化： - 继电器替代：MOSFET 可以替代传统的机械继电器，实现更快、更可靠的开关操作，特别适合高频开关应用场景。 - 传感器接口：用于传感器信号的放大和传输，确保信号的完整性和可靠性。 5. 通信设备： - 电源分配网络（PDN）：在通信基站和数据中心中，MOSFET 用于优化电源分配，降低功耗并提高系统的整体效率。 - 射频功率放大器（RFPA）：在射频前端模块中，MOSFET 可用于功率放大器的开关控制，确保信号的稳定传输。 6. 消费电子产品： - 智能手机和平板电脑：MOSFET 在这些设备中用于电源管理和外围设备的控制，如摄像头、显示屏等。 - 智能家居设备：在智能插座、智能灯泡等设备中，MOSFET 可用于控制电源的通断，实现远程控制功能。 总之，BUK7909-75AIE,127 凭借其优异的性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子领域，特别是在需要高效、快速响应和低损耗的应用中表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 75V 75A TO220ABMOSFET TRENCHPLUS MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 电流感测 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 120 A |
| Id-连续漏极电流 | 120 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7909-75AIE,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7909-75AIE,127 |
| Pd-PowerDissipation | 272 W |
| Pd-功率耗散 | 272 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 75 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 75 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 108 ns |
| 下降时间 | 100 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 121nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 50A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-5 |
| 其它名称 | 568-9742-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 185 ns |
| 功率-最大值 | 272W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-5 |
| 封装/箱体 | TO-220-5 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 75V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | BUK7909-75AIE |
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