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SI1303DL-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1303DL-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1303DL-T1-E3价格参考。VishaySI1303DL-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 670mA(Ta) 290mW(Ta) SC-70-3。您可以下载SI1303DL-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI1303DL-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1303DL-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,具有低导通电阻(Rds(on))和高开关速度的特点。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC 转换器:用于降压或升压电路中的开关元件,提供高效的功率转换。 - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,控制电路的开启和关闭,降低功耗。 - 电池保护:用于锂电池管理系统中,防止过充、过放或短路。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,控制电机的启动、停止和速度调节。 - 在 H 桥电路中作为开关元件,实现电机的正转和反转。 3. 消费电子 - 智能手机和平板电脑:用于充电电路和内部电源分配。 - 笔记本电脑:作为电源管理的一部分,优化电池寿命和系统性能。 - 音频设备:在 D 类放大器中用作开关元件,提供高效的声音输出。 4. 工业应用 - 传感器接口:用于信号调理电路,驱动传感器或处理输入/输出信号。 - 继电器替代:在需要频繁开关的场合,用 MOSFET 替代机械继电器以提高可靠性。 5. 通信设备 - 网络交换机和路由器:用于电源模块和信号切换。 - 基站电源:在电信设备中提供高效的功率传输和分配。 6. 汽车电子 - LED 照明:用于驱动车内 LED 灯,提供恒定电流。 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器和显示屏供电。 - 电动助力转向 (EPS):在低功率电机控制中使用。 SI1303DL-T1-E3 的低 Rds(on) 和小封装(如 SOT-23 或更小)使其非常适合对空间和效率要求较高的应用。此外,其出色的热特性和可靠性也使其成为各种便携式和嵌入式系统的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 20V 670MA SOT323-3MOSFET 20V 0.72A |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 670 mA |
Id-连续漏极电流 | 670 mA |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?71075 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1303DL-T1-E3TrenchFET® |
数据手册 | http://www.vishay.com/doc?71075 |
产品型号 | SI1303DL-T1-E3SI1303DL-T1-E3 |
Pd-PowerDissipation | 290 mW |
Pd-功率耗散 | 290 mW |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 560 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 560 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
上升时间 | 31 ns |
下降时间 | 14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.2nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 430 毫欧 @ 1A,4.5V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | SC-70-3 |
其它名称 | SI1303DL-T1-E3CT |
典型关闭延迟时间 | 12.5 ns |
功率-最大值 | 290mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Vishay / Siliconix |
商标名 | TrenchFET |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 560 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
封装/箱体 | SOT-323-3 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 1.7 S |
汲极/源极击穿电压 | 20 V |
漏极连续电流 | 670 mA |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 670mA (Ta) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SI1303DL-E3 |