Datasheet下载- 型号： IRFH3707TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH3707TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH3707TRPBF价格参考。International RectifierIRFH3707TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH3707TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH3707TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为 IRFH3707TRPBF 的MOSFET，属于N沟道功率MOSFET，常用于高效能、中低电压的开关应用。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块，用于提高转换效率，常见于笔记本电脑、服务器和通信设备的电源系统。 2. 电机驱动：在小型电机控制电路中，如无人机、机器人或电动工具中，作为高效开关控制电机的启停与转速。 3. 负载开关：用于控制高电流负载的通断，例如LED照明、加热元件或风扇控制。 4. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电管理电路中，作为高效率开关，用于防止过流或短路。 5. 汽车电子：适用于车载电源系统、车载充电器或车身控制模块等场景，因其具备高可靠性和耐温特性。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和良好热性能，适合需要高效能与小型化设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 29 A |
| Id-连续漏极电流 | 29 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH3707TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH3707TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.8 W |
| Pd-功率耗散 | 2.8 W |
| Qg-GateCharge | 5.4 nC |
| Qg-栅极电荷 | 5.4 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 17.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 5.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 755pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.1nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 12.4 毫欧 @ 12A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN （3x3） |
| 典型关闭延迟时间 | 9.9 ns |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 功率耗散 | 2.8 W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 17.9 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 3X3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 5.4 nC |
| 标准包装 | 4,000 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 29 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 29A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfh3707pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfh3707pbf.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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