Datasheet下载- 型号： PSMN5R6-100BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN5R6-100BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN5R6-100BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN5R6-100BS,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN5R6-100BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN5R6-100BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN5R6-100BS,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（RDS(on) 典型值仅 5.6 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 100 A）及优良的开关特性。其典型应用场景包括： - 工业电源与开关电源（SMPS）：适用于 DC-DC 降压转换器、服务器/通信设备的 VRM 模块及大电流同步整流电路，可显著降低导通损耗，提升能效。 - 电机驱动系统：广泛用于 BLDC 电机控制器、工业伺服驱动和电动工具中的 H 桥或半桥功率级，支持高频 PWM 驱动与快速开关响应。 - 电池管理系统（BMS）与电子负载：凭借低 RDS(on) 和强过流耐受能力，适用于电池保护电路中的充放电主控开关及主动均衡模块。 - 照明与LED驱动：用于大功率 LED 恒流驱动器的调光开关或调光/调色温控制级，满足高可靠性与热稳定性要求。 该器件具备 100 V 耐压、逻辑电平兼容（VGS(th) 低至 1–2.5 V），可直接由 MCU 或驱动 IC 驱动；内置 ESD 保护与优化体二极管，适合硬开关与部分软开关拓扑。适用于中高功率、高效率、紧凑型设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R6-100BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN5R6-100BS,118 |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8061pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 141nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.6 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9495-6 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 配置 | Single |
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