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产品简介:
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PSMN5R6-100BS,118 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 通道增强型功率 MOSFET,属于晶体管中的 FET/MOSFET 单管类别。该器件具有低导通电阻(典型值约 5.6mΩ)、高耐压(100V)和高电流承载能力的特点,适用于需要高效能、低功耗的电源管理场景。 其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:广泛用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器中,尤其在高效率同步整流电路中表现优异,可减少能量损耗,提升整体效率。 2. 电机驱动:适用于工业控制、电动工具及家用电器中的直流电机或步进电机驱动模块,具备快速开关响应和良好的热稳定性。 3. 电池管理系统(BMS):可用于电动自行车、储能系统或便携式设备中的充放电控制电路,提供可靠的开关保护与低导通损耗。 4. 汽车电子:虽然非车规级主控器件,但在部分车载辅助电源、LED 驱动或低压配电模块中也可应用。 5. 消费类电子产品:如笔记本电脑适配器、显示器电源模块、大功率 USB 充电设备等,支持高密度电源设计。 该 MOSFET 采用 LFPAK 封装(类似 TO-252),具备优良的散热性能和可靠性,适合自动化贴片生产。因其低栅极电荷和低导通电阻,特别适合高频开关应用,有助于减小系统体积并提高能效。总体而言,PSMN5R6-100BS,118 是一款高性能通用功率 MOSFET,适用于多种中高功率开关场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN5R6-100BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN5R6-100BS,118 |
| Pd-PowerDissipation | 306 W |
| Pd-功率耗散 | 306 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 5.6 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.6 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8061pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 141nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.6 毫欧 @ 25A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9495-6 |
| 功率-最大值 | 306W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 100A (Tc) |
| 配置 | Single |