Datasheet下载- 型号： IRFBE20STRR
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFBE20STRR由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFBE20STRR价格参考。VishayIRFBE20STRR封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFBE20STRR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFBE20STRR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFBE20STRR 是 Vishay Siliconix（现为 Vishay Microelectronics）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电子系统中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、AC-DC 适配器等，适用于高效率和小型化设计。 2. 电机控制：用于直流电机驱动、步进电机或无刷电机控制电路中，提供快速开关和低导通损耗。 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关用于控制电源分配、电池管理系统和热插拔电路。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器、UPS（不间断电源）和太阳能逆变系统中用于功率转换。 5. 汽车电子：如车载充电系统、电机驱动、照明控制等，满足汽车应用中对可靠性和效率的要求。 6. 工业自动化：用于工业控制设备中的功率开关、继电器替代方案等。 该器件具有低导通电阻、高频率响应和良好的热稳定性，适合高频开关应用，同时采用表面贴装封装（如 PowerPAK SO-8），便于自动化生产和散热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91117 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRFBE20STRR |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 530pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 欧姆 @ 1.1A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 54W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.8A （Tc） |
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