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  • 型号: SI7860ADP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SI7860ADP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7860ADP-T1-GE3价格参考。VishaySI7860ADP-T1-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SI7860ADP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI7860ADP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix 的 SI7860ADP-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET,常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括:

1. 电源管理:适用于笔记本电脑、服务器和电源适配器中的 DC-DC 转换器,用于高效调节电压和电流。

2. 负载开关:在电池供电设备中作为高侧或低侧开关,控制电源流向负载,如在智能手机、平板电脑中实现电源管理。

3. 马达控制:用于小型电机驱动电路,如无人机、机器人和电动工具中,实现对电机启停和转速的控制。

4. 热插拔电路:在服务器和通信设备中,用于防止插入带电背板时产生电流冲击,保护系统稳定运行。

5. 逆变器与电源转换系统:应用于 UPS(不间断电源)或太阳能逆变器中,协助实现高效的电能转换。

该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能,适合高频率开关应用,有助于提升系统效率和减小电路体积。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 11A PPAK SO-8

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Vishay Siliconix

数据手册

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产品图片

产品型号

SI7860ADP-T1-GE3

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

TrenchFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

-

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

18nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

9.5 毫欧 @ 16A,10V

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

功率-最大值

1.8W

包装

带卷 (TR)

安装类型

表面贴装

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

标准包装

3,000

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Ta)

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