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产品简介:
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Vishay Siliconix 的 SI3552DV-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 负载开关:用于控制电路中的负载通断,提供低导通电阻(Rds(on)),从而降低功耗。 - DC-DC 转换器:作为同步整流器或功率级开关,提高效率并减少能量损耗。 - 电池保护:在电池管理系统中,用于防止过充、过放或短路。 2. 信号切换 - 多路复用器/解复用器:在需要切换不同信号路径的电路中使用,例如音频、视频或数据信号切换。 - GPIO 扩展:用于扩展微控制器的 GPIO 引脚功能,控制外部设备。 3. 电机驱动 - 小型电机控制:适用于低功率直流电机的启停和速度控制。 - H 桥电路:用于双向电机驱动,提供高效的电流切换能力。 4. 消费类电子产品 - 移动设备:如智能手机、平板电脑等,用于内部电源管理和外围设备接口。 - USB 接口保护:防止过流或短路,同时实现快速充电功能。 5. 工业应用 - 传感器接口:用于控制传感器的供电或信号传输。 - 通信模块:在无线模块或网络设备中,用于电源管理或信号切换。 6. 汽车电子 - 车载信息娱乐系统:用于音频放大器或其他外设的电源管理。 - LED 照明控制:调节 LED 亮度或实现开关功能。 SI3552DV-T1-GE3 的小尺寸和高效性能使其特别适合空间受限且对能耗要求严格的场景,如便携式设备和高密度电路板设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP |
产品分类 | FET - 阵列 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | N 和 P 沟道 |
品牌 | Vishay Siliconix |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | SI3552DV-T1-GE3 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA (最小) |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.2nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 105 毫欧 @ 2.5A,10V |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
其它名称 | SI3552DV-T1-GE3CT |
功率-最大值 | 1.15W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - |