Datasheet下载- 型号： SI4114DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4114DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4114DY-T1-E3价格参考。VishaySI4114DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4114DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4114DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4114DY-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高可靠性和小型封装的特点，适用于对空间和效率要求较高的电子设备。 典型应用场景包括： 1. 电源管理电路：用于电池供电设备中的电源切换与分配，如笔记本电脑、平板电脑和便携式设备。 2. 负载开关：作为高侧或低侧开关，控制电机、LED 灯、风扇等负载的通断。 3. DC-DC 转换器：在同步整流电路中作为整流元件，提高转换效率。 4. 保护电路：用于过流保护、反向电流阻断等场合。 5. 嵌入式系统与工业控制：如 PLC、传感器模块、工业自动化设备中的开关控制。 其封装为 TSOP，适合表面贴装，便于自动化生产。由于其良好的热稳定性和耐用性，SI4114DY-T1-E3 在消费电子、工业控制及通信设备中均有广泛应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4114DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3700pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 95nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6 毫欧 @ 10A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 5.7W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Tc） |
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