Datasheet下载- 型号： CSD25213W10
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25213W10由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25213W10价格参考。Texas InstrumentsCSD25213W10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD25213W10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25213W10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGAMOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD25213W10NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD25213W10 |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 2.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 47 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 47 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.85 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.85 V |
| 上升时间 | 520 ns |
| 下降时间 | 970 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 478pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47 毫欧 @ 1A、 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DSBGA（1x1） |
| 典型关闭延迟时间 | 1 us |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，DSBGA |
| 封装/箱体 | DSBGA-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
| 系列 | CSD25213W10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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