Datasheet下载- 型号： CSD25213W10
- 制造商： Texas Instruments
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供CSD25213W10由Texas Instruments设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CSD25213W10价格参考。Texas InstrumentsCSD25213W10封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载CSD25213W10参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有CSD25213W10 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CSD25213W10 是 Texas Instruments（德州仪器）生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于 NexFET 系列。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和出色的热性能，适用于多种高效能电源管理场景。以下是其主要应用场景： 1. DC-DC 转换器 - CSD25213W10 适用于同步整流的降压（Buck）或升压（Boost）转换器。其低 Rds(on) 和快速开关特性可显著降低导通损耗和开关损耗，从而提高整体效率。 - 常用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的电源管理模块。 2. 负载开关 - 在需要动态控制电流的应用中，该 MOSFET 可用作高效的负载开关。例如，在 USB 充电端口、电池管理系统（BMS）中，实现快速开启/关闭功能，同时减少功耗。 3. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路。低 Rds(on) 可减少发热，确保电机运行更稳定、更高效。 - 常见于消费电子、家用电器和工业自动化领域。 4. 电源适配器和充电器 - 在开关电源（SMPS）设计中，CSD25213W10 可作为主开关管或同步整流管使用。其高性能特点有助于实现紧凑型、高效率的充电解决方案。 - 特别适合快充技术（如 USB PD），能够满足高功率密度需求。 5. 电池保护与管理 - 在电池组中，该 MOSFET 可用于过流保护、短路保护以及放电控制，确保电池的安全性和使用寿命。 - 广泛应用于锂离子电池组、电动工具和储能系统。 6. 音频放大器 - 在 D 类音频放大器中，MOSFET 作为输出级开关元件，提供高效的信号切换和功率输出。 - 适用于便携式音响设备和汽车音响系统。 总结 CSD25213W10 凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。其低损耗和高效率的特点使其成为现代高效能电源管理和功率转换应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 1.6A 4DSBGAMOSFET P-CH NexFET Pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 1.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 1.6 A |
| 品牌 | Texas Instruments |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Texas Instruments CSD25213W10NexFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | CSD25213W10 |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| Qg-GateCharge | 2.2 nC |
| Qg-栅极电荷 | 2.2 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 47 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 47 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 6 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 6 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.85 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.85 V |
| 上升时间 | 520 ns |
| 下降时间 | 970 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 478pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 47 毫欧 @ 1A、 4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DSBGA（1x1） |
| 典型关闭延迟时间 | 1 us |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Texas Instruments |
| 商标名 | NexFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 4-UFBGA，DSBGA |
| 封装/箱体 | DSBGA-4 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1.6A （Ta） |
| 系列 | CSD25213W10 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
