Datasheet下载- 型号： FQPF10N20
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF10N20由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF10N20价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF10N20封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQPF10N20参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQPF10N20 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQPF10N20是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，具有10A电流容量和200V耐压，适用于中高功率应用。该器件封装为TO-220，散热性能良好，广泛用于以下场景： 1. 电源转换设备：如AC-DC适配器、DC-DC转换器、开关电源（SMPS），其高耐压和低导通电阻特性有助于提高转换效率。 2. 电机驱动：适用于直流电机或步进电机的控制电路，支持高效PWM调速与负载切换。 3. 逆变器与UPS系统：在不间断电源或太阳能逆变器中，用于直流到交流的功率转换环节。 4. 工业自动化控制：如PLC输出模块、继电器替代方案，实现高频率开关与负载隔离。 5. 消费电子：用于充电器、LED照明驱动等对效率和空间有要求的场景。 6. 汽车电子：如车载电源系统、电机控制模块，需配合适当的保护电路以应对严苛环境。 该MOSFET适合需要中等功率、高可靠性和高效率的开关应用，设计时需注意散热管理与栅极驱动匹配。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 6.8A TO-220F |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQPF10N20 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 360 毫欧 @ 3.4A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220F |
| 功率-最大值 | 40W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.8A （Tc） |
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