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Datasheet下载- 型号： SI4410DYPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4410DYPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4410DYPBF价格参考。International RectifierSI4410DYPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 10A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载SI4410DYPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4410DYPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 SI4410DYPBF 是一款单通道 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。该型号的主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 电源管理 SI4410DYPBF 常用于各种电源管理系统中，如开关电源、DC-DC 转换器和线性稳压器。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得它在高效能电源转换应用中表现出色，能够减少功率损耗并提高效率。此外，它还可以用于电池充电电路，控制充电电流和电压。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，SI4410DYPBF 可以作为开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。例如，在无人机、电动工具、家用电器等设备中，MOSFET 的快速开关特性和低导通电阻有助于实现高效的电机控制，同时减少发热和能量损失。 3. 负载切换 该型号适用于需要频繁切换负载的应用场景，如智能插座、LED 照明系统和汽车电子中的负载切换。通过控制 MOSFET 的栅极电压，可以实现对负载的快速通断，确保系统的稳定性和可靠性。 4. 信号放大与缓冲 在一些模拟电路设计中，SI4410DYPBF 可用作信号放大或缓冲元件。由于其高输入阻抗和低输出阻抗特性，它可以有效地隔离前后级电路，防止信号干扰，同时提供足够的驱动能力。 5. 保护电路 SI4410DYPBF 还可用于过流保护、短路保护和过温保护等安全功能。通过监测电流或温度变化，MOSFET 可以迅速切断电路，避免因过载或异常情况导致的损坏。 总结 SI4410DYPBF 具有出色的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、负载切换、信号放大及保护电路等领域。其低导通电阻、快速开关特性和紧凑封装使其成为众多电子设备中不可或缺的关键组件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier SI4410DYPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4410DYPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 30 nC |
| Qg-栅极电荷 | 30 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 20 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1 V |
| 上升时间 | 7.7 ns |
| 下降时间 | 44 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1585pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 35 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
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