Datasheet下载- 型号： IXFN20N120
- 制造商： IXYS
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN20N120由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN20N120价格参考。IXYSIXFN20N120封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN20N120参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN20N120 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS品牌的IXFN20N120是一款高压、高功率的N沟道MOSFET，属于晶体管中的单MOSFET器件。该型号具有1200V的漏源击穿电压和20A的连续漏极电流能力，适用于高电压、大功率开关应用。 主要应用场景包括： 1. 工业电源系统：常用于开关模式电源（SMPS）、直流-直流变换器和高压电源模块中，因其高耐压特性适合在600V以上工作环境中稳定运行。 2. 逆变器设备：广泛应用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）和电机驱动逆变器中，作为核心开关元件实现直流到交流的高效转换。 3. 感应加热与电磁炉：凭借其快速开关能力和高耐压，适用于高频谐振电路，支持感应加热设备中的能量转换。 4. 高压脉冲应用：如激光驱动器、电焊机和电容放电系统，利用其承受瞬时高压和大电流的能力。 5. 电动车辆与充电桩：可用于部分车载电源管理系统或充电基础设施中的功率调节模块。 IXFN20N120采用TO-247封装，具备良好的热传导性能，适合在高温环境下工作。其设计注重可靠性和耐用性，特别适用于需要长期稳定运行的工业级设备。使用时需配合适当的散热措施和栅极驱动电路，以充分发挥其性能并避免热失效或电压击穿。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 20A SOT-227B |
| 产品分类 | FET - 模块 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IXFN20N120 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HiPerFET™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 8mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 7400pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 160nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 500mA，10V |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 功率-最大值 | 780W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 标准包装 | 10 |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A |
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